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《CMOS存储单元电路抗单粒子翻转加固设计研究》
一、引言
随着微电子技术的飞速发展，集成电路的集成度和复杂性日益提高，空间辐射环境对集成电路的影响愈发显著。在空间辐射环境中，单粒子效应（SingleEventEffects,SEE）成为影响集成电路可靠性的主要因素之一。其中，单粒子翻转（SingleEventTransient,SET）是导致存储单元数据错误的主要形式。CMOS存储单元电路作为集成电路的核心组成部分，其抗单粒子翻转的加固设计研究显得尤为重要。本文将重点研究CMOS存储单元电路抗单粒子翻转的加固设计，以提高其在空间辐射环境下的可靠性。
二、CMOS存储单元电路概述
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