网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

《CMOS存储单元电路抗单粒子翻转加固设计研究》.docx

《CMOS存储单元电路抗单粒子翻转加固设计研究》.docx

  1. 1、本文档共16页,其中可免费阅读5页,需付费70金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

《CMOS存储单元电路抗单粒子翻转加固设计研究》

一、引言

随着微电子技术的飞速发展,集成电路的集成度和复杂性日益提高,空间辐射环境对集成电路的影响愈发显著。在空间辐射环境中,单粒子效应(SingleEventEffects,SEE)成为影响集成电路可靠性的主要因素之一。其中,单粒子翻转(SingleEventTransient,SET)是导致存储单元数据错误的主要形式。CMOS存储单元电路作为集成电路的核心组成部分,其抗单粒子翻转的加固设计研究显得尤为重要。本文将重点研究CMOS存储单元电路抗单粒子翻转的加固设计,以提高其在空间辐射环境下的可靠性。

二、CMOS存储单元电路概述

文档评论(0)

便宜高质量专业写作 + 关注
实名认证
服务提供商

专注于报告、文案、学术类文档写作

1亿VIP精品文档

相关文档