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S波段氮化镓宽带功率放大器设计

一、引言

随着无线通信技术的迅速发展，对于高频、大功率以及宽带性能的需求不断增强。在S波段应用中，氮化镓（GaN）宽带功率放大器因其高效率、高功率密度以及良好的频率响应特性，正逐渐成为研究的热点。本文旨在设计一款适用于S波段的氮化镓宽带功率放大器，以满足现代无线通信系统的需求。

二、氮化镓材料与器件基础

氮化镓（GaN）是一种具有优良电子特性的宽禁带半导体材料。相较于传统的硅（Si）基材料，GaN具有更高的击穿场强、更大的电子饱和速率以及更高的热导率。这些特性使得GaN在高频、大功率应用中具有显著优势。此外，GaN器件的制造工艺也在不断进步，为宽带功率放大器的设