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集成电路原理及设计复习资料

基本知识点汇总

1.按照按比例缩小理论pn结内建电势不能按比例缩小。

2.NPN工作于饱和区或反向工作区——VBC－NPN0——VEB－PNP0——PNP管的发射结正偏

——PNP管处于正向工作状态；NPN处于截止区或正向工作区——VBC0——VEB－PNP0—

—PNP管的发射结反偏——寄生PNP管截止。

3.掩埋层的薄层电阻比较小，适合于做与晶体管集电极相连的电阻，由于影响掩埋层电阻的

工艺因素太多，因此掩埋层电阻的精度较差。

4.衬底PNP管的制作工艺与NPN管的制作工艺完全兼容，在进行NPN管基区扩散的同时

形成了衬底PNP管的发射区、其集电区则是整个电路的公共衬底，所以只有利用PN结隔

离工艺，才能制造衬底PNP管。

5.基区沟道电阻是在基区扩散层上再覆盖一层发射区扩散层，利用两次扩散所形成的相当于

晶体管基区的部分作为电阻器，所以称为基区沟道电阻。

6.TTL五管单元中，Q3，Q4构成的达林顿结构来代替四管单元电路中的Q3和D，Q4的VBE

同样起到了电平位移作用，但由于此时VCB4＝VCE3＞0，Q4不会进入饱和。

7.多个OC门在同一根总线上进行数据传输，当某OC门的控制电平A（或B）为低电平时，

该OC门的输出管Q5处于截止状态，不传输数据，相当于此极对母线不起作用。仅当控

制电平为高电平时，才将本级输入信息发送至总线上。

8.ECL基本门电路是由电流开关，参考电压源及射极输出器组成，其为或和或非门电路。

9.堆栈是由一组移位寄存器所组成，具有后进先出(LIFO)的功能，是一种在数据管理中非常

有用的存储器结构，可用于保存中断点的数据。

10.在TTL电路中输入级采用多发射极晶体管，在电路的截止瞬态可起到反抽作用，从而提高

了电路的工作速度；输出级采用图腾柱结构，使电路的功耗下降。

11.在TTL电路中为了保持一般图腾柱输出的优点，又能作“线与”连接，人们创造了三态逻辑

（TSL）门，它由一个基本门和一个控制门组合而成。

12.在ECL电路中，因为电路在较高的速度下工作，为了防止两个单门工作时相互干扰，分别

将它们排布在版图的两侧。同一单门的输入管和定偏管以及每对输出管安排在相邻的位置，

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且排列方向一致。

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13.IL电路的扇出数N0为由于IL电路中的NPN管是一个倒置的NPN管，其电流增益β不

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大，所以IL电路的负载能力不大。

14.m个N型MOS管串联的电路的下降时间t’为mt；同样地，k个P型MOS管串联的上升

ff

时间tr’是ktr。

15.对CMOS静态移位寄存器，电路的主体部分是四个CMOS静态D触发器。为复位

输入。不论其他控制信号为何状态，只要将其置零，则对四个触发器强行复位。

16.MOS反相器，因其结构或负载器件的不同，可大致分为四种基本类型：电阻负载MOS反

相器、E／EMOS反相器、E／DMOS反相器、CMOS反相器。

17.存储器是各种电子数字计算机的主要存储部件，并广泛用于其他电子设备中。对半导体存

储器的基本要求是高密度、大容量、高速度、低功耗。存储器按功能可分为只读存储器和

随机存取存储器。

18.ECL电路逻辑摆幅小，如果想要让它高低温都正常工作参考电压源应该设置在高低电平的

中点。

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19.IL电路是一种单端输入多端输出的反相器，基本单元由一个横向PNP管和一个倒置的多

集电极NPN管组成，这两个管子有两对电极是共用的。

20.互补CMOS反相器、与非门、或非门和综合逻辑门中所有互补门都可以设计成无比的电

路。也就是说．即使所有MOS管有相同的尺寸，电路仍能正常工作。对于MOS无比反相

器来讲，在输出低电平时，只有驱动管导