3交流_密勒效应_极点零点_工艺角_温度.docVIP

Hspice上机实验

（三）

例如：

MOSFET(M1、U1)

名称

漏D

栅G

源S

衬B

类型

L

W

M

M_M1

1

1

9

9

pm

L=2u

W=12u

M=2

M_U1

1

5

2

0

nm

L=0.6u

W=12u

M=2

说明：库文件为csmc.lib

交流扫描分析

（考虑OTA的系统失调，没有补偿电阻，即Rz=0）

要求: 1.得出幅频特性曲线图、相频特性曲线图

2.由图像求出增益带宽积GBW、相位裕度

3.分析密勒补偿效应（Cc电容值0-5pF，步长1pF）

4.分析零极点抵消效果（Rz电阻值0-2kOhm，步长0.2kOhm）

工艺角分析

要求: 1.根据各个工艺角，设置各Vip进行AC仿真

温度分析

要求: 1.根据各个温度，设置各Vip进行AC仿真

语法：

*输出控制

*含义：输出交流节点V0、V01、Vin的电压

.PRINTACV(Vo)V(Vo1)V(Vin)

*AC交流分析

*含义：进行AC交流扫描，1kHZ-200MHz，DEC（每10倍频）有10个采样点

.ACDEC101k200MEG

*AC交流分析时进行参数扫描

*参数说明：SWEEP-变量名-变量起始点-变量结束点-变量步长

*含义：对变量cc（电容Cc）从0-5pF，步长为1pF，进行参数扫描

.ACDEC101k200MEGSWEEPcc05p1p

*含义：对变量rz（电阻Rz）从0-2kOhm，步长为0.2kOhm，进行参数扫描

.ACDEC101k200MEGSWEEPrz02k0.2k

*改变工艺角

*含义：将工艺角变为FF，并将变量ip设置为2.4814

.ALTER

.TITLEamplifierFF

.LIBD:\hspice\lib\csmc.libFF

.PARAMip=2.4814

*含义：将工艺角变为FS，并将变量ip设置为2.4861

.ALTER

.TITLEamplifierFS

.LIBD:\hspice\lib\csmc.libFS

.PARAMip=2.4861

*改变温度

*含义：温度设置为20，并将变量ip设置为2.4877

.ALTER

.TITLEamplifierTEMP=20

.TEMP20

.PARAMip=2.4877

*含义：温度设置为40，并将变量ip设置为2.4873

.ALTER

.TITLEamplifierTEMP=40

.TEMP40

.PARAMip=2.4873

任务：

考虑到OTA失调，需要改变电源Vdc的电压值

根据Hspice上机实验（二）中的DC直流分析，当Vo=Vdd/2时，Vdc=2.4876V

所以Vip=2.4876V，不同工艺角，温度下的值各不相同。

如果不考虑补偿电阻，即Rz=0Ohm

修改代码如下：

1.将Hspice上机实验（一）中的网表文件BaisPoint.sp复制并另存为AC1.sp

修改AC1.sp代码，并进行仿真。

将.PARAMip=2.5修改为.PARAMip=2.4876

将.PARAMrz=1k修改为.PARAMrz=0

添加.ACDEC101k200MEG

2.将Hspice上机实验（一）中的网表文件BaisPoint.sp复制并另存为AC2.sp

修改AC2.sp代码，并进行仿真。

将.PARAMip=2.5修改为.PARAMip=2.4876

将.PARAMrz=1k修改为.PARAMrz=0

添加.ACDEC101k200MEGSWEEPcc05p1p

3.将Hspice上机实验（一）中的网表文件BaisPoint.sp复制并另存为AC3.sp

修改AC3.sp代码，并进行仿真。

将.PARAMip=2.5修改为.PARAMip=2.4876

将.PARAMrz=1k修改为.PARAMrz=0

添加.ACDEC101k200MEGSWEEPrz02k0.2k

4.将Hspice上机实验（一）中的网表文件BaisPoint.sp复制并另存为CornerAC.sp

修改CornerAC.sp代码，并进行仿真。

将.PARAMip=2.5修改为.PARAMip=2.4876

将.PARAMrz=1k修改为.PARAMrz=1k

添加

.