模电知识点复习总结.pptVIP

总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主线。

集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压放大级、功率放大级、偏置电路。

集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应用。

模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号源产生等展开。;湖南科技大学信息与电气工程学院;一、放大电路的表示方法;1.放大倍数(增益)——表征放大器的放大能力;〔1〕电压放大倍数定义为:AU=UO/UI;2.输入电阻Ri——从放大电路输入端看进去的等效电阻，决定了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。;3.输出电阻Ro——从放大电路输出端看进去的等效电阻。决定了放大电路带负载的能力。;输出电阻是说明放大电路带负载的能力，Ro越小，放大电路带负载的能力越强，反之那么差。;4.通频带;湖南科技大学信息与电气工程学院;o;3〕开环输出电阻ro→0;理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性，这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为了保证线性运用，运放必须在闭环(负反响〕下工作。;(2)虚断;几种常见的根本运算电路;3二极管及其基本电路;3.1.4杂质半导体;3.2.1载流子的漂移与扩散;在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；

PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。

由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;PN结V-I特性表达式;当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;一、PN结的伏安方程;二、二极管的伏安特性;3.4.2二极管电路的简化模型分析方法;（2）恒压降模型;〔4〕小信号模型;过Q点的切线可以等效成一个微变电阻;特别注意：

小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。

该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT。;(2)主要特点：

(a)正向特性同普通二极管

(b)反向特性

较大的?I?较小的?U

工作在反向击穿状态。

在一???范围内，反向击穿具有可逆性。;湖南科技大学信息与电气工程学院;半导体三极管的结构示意图如下图。它有两种类型:NPN型和PNP型。;三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输表达出来的。

外部条件：发射结正偏

集电结反偏;2.电流分配关系;?是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般?1。;3.三极管的三种组态;三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。

实现这一传输过程的两个条件是：

〔1〕内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。

〔2〕外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3BJT的V-I特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;(1)集电极最大允许电流ICM;?V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射

极间的击穿电压。;?在输出特性曲线上，作出直流负载线VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ和ICQ。;?根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE、iB的波形;?根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE的波形;3.静态工作点对波形失真的影响;饱和失真的波形;4.3.2小信号模型分析法;BJT的H参数及小信号模型;重点掌握固定偏流射极电路和分压式射极电路

;小信号模型等效电路法的步骤：;三种组态的特点及用途;阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。;通频带;4.7多级(组合)放大电路;二、直接耦合方式的优缺点;缺点：①低频特性差〔不能放大变化缓慢的低频信号〕；;3、变压器耦合;4.7.2多级〔组合〕放大电路的动态分析;二、输入电阻;第六章模拟集成电路;6.1.1BJT电流源电路;6.1.1BJT电流源电路;6.2.1