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磁控溅射法制备高Ge组分GexSi1-x薄膜的工艺研究
一、引言
随着现代电子和光电子器件的不断发展，高Ge组分GexSi1-x薄膜因其优异的电学和光学性能，在半导体领域中得到了广泛的应用。磁控溅射法作为一种常用的薄膜制备技术，具有制备过程简单、薄膜质量高、组分可控等优点，因此被广泛应用于制备GexSi1-x薄膜。本文将重点研究磁控溅射法制备高Ge组分GexSi1-x薄膜的工艺，探讨其制备过程中的关键因素及优化方法。
二、磁控溅射法原理及设备
磁控溅射法是一种物理气相沉积技术，利用磁场和电场的共同作用，将靶材中的原子或分子溅射出来，并在基底上形成薄膜。该方法具有制备温度低、薄膜附着力强、组分可
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