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SiO2系低介LTCC陶瓷制备与性能研究
一、引言
随着现代电子科技的快速发展，低温共烧陶瓷（LTCC）技术已成为电子封装领域的重要技术之一。在众多LTCC陶瓷材料中，SiO2系低介电常数（介电常数小于10）的陶瓷材料因其良好的热稳定性、低介电损耗以及优秀的加工性能而备受关注。因此，本篇论文主要针对SiO2系低介LTCC陶瓷的制备方法及性能进行深入的研究。
二、材料与方法
1.材料准备
本实验所需的主要原料为SiO2、Al2O3、TiO2等无机非金属材料。所有原料均经过精细研磨，并在高温下进行预处理，以去除杂质，提高纯度。
2.制备方法
采用传统的固相反应法进行陶瓷制备。首先，将原料按照一
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