红外探测材料型号命名方法 编制说明.docx

《红外探测材料型号命名方法》（征求意见稿）编

制说明

一、工作简况

（一）任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知》（国标委发【2024】16号）的要求，计划编号T-339。

（二）主要起草单位和起草人分工

本文件的主要起草单位为中国电子科技集团公司第十一研究所，负责标准的撰写、讨论修改以及标准内容的确定与完善。

本标准主要起草人及工作职责见表1。

表1主要起草人及工作职责

起草人

工作职责

赵超

负责项目的组织，标准、编制说明等文件的编写。

刘铭、折伟林

负责与相关行业内单位进行标准的沟通讨论，参与标准编写及意见反馈。

王丛

负责国内外相关标准的调研。

（三）主要工作过程

1.起草阶段

2024年3月25日，国家标准化管理委员会下达了制定《红外探测材料型号命名方法》国家标准的任务。2024年3月-2024年8月，标准编制

小组开展测试工作。编制小组积极收集大量关于国内外关于红外探测材料型号命名方法的相关资料，并对这些资料进行分析，及时召开会议总结调研结果，部署下一步工作计划。根据前期的调研、工作会议及现场试验，编制组及时修改标准文本，形成《红外探测材料型号命名方法》标准讨论稿和编制说明。

2024年11月28日，由中国电子技术标准化研究院组织，在四川省成都市召开了《红外探测材料型号命名方法》标准第一次工作会议（讨论会），共有中国电子科技集团公司第十一研究所、中航凯迈红外材料有限公司、中国科学院半导体研究所、中科院上海技术物理研究所、昆明物理研究所等6个单位6位专家参加了本次会议。与会专家对标准讨论稿进行了逐条讨论，并对术语定义、型号结构、材料名称等提出了修改意见。会后编制组根据讨论会意见对标准稿件进行了修改，并再次征求与会专家的意见进行完善，形成了标准征求意见稿。

二、编制原则、标准主要内容及其确定依据

（一）编制原则

1.适用性原则：根据国内各红外探测材料厂家实际材料型号命名的具体情况和用户需求，制定本标准的适用范围、术语和定义、型号命名方法等内容，满足国内厂家及客户的需求。

2.规范性原则：标准在格式上严格按照GB/T1.1《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的要求进行编写。

3.查阅相关标准和国内客户的相关技术要求并收征集了中国科学院半导体研究所、中科院上海技术物理研究所、昆明物理研究所等同行公司的红外探测材料型号命名方法，确定了标准中的型号结构以及各部分的定义等章节。

（二）确定标准主要内容的依据

本文件代替GB/T11296-1989《红外探测材料型号命名方法》，与GB/T11296-1989相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：

a）更改了产品型号组成结构，由之前的“材料主要成分掺杂物质-同一组分中不同的配比或不同的技术参数”改为化合物半导体材料的“材料尺寸-材料名称/第一特征值-第二特征值（第三特征值）-第四特征值”以及热释电材料的“材料尺寸-材料名称/第一特征值-第二特征值-第三特征值”（见4.1.1以及4.2.1，1989年版第1章）；

b）更改了材料名称中锑化铟、碲镉汞材料的缩写符号，锑化铟由IS更改为InSb，碲镉汞由HCT改为MCT（见4.1.3,1989年版的1.1）；

c）将命名方法分为化合物半导体材料和热释电材料两类，分别规定了各自的命名方法（见第4章，1989年版的第1章）；

d）化合物半导体材料中增加了碲锌镉、锑化镓、铟镓砷、二类超晶格、量子阱材料，同时增加了“其他材料表示形式按照此方法进行”的描述（见4.1，1989年版的1.1）；热释电材料中增加了金属氧化物陶瓷、高分子聚合物材料，同时增加了“其他材料表示形式按照此方法进行”的描述（见4.2,1989年版的1.1）；

e）删除了原标准中对各型号结构部分的说明（见1989年版第1章）；

f）增加了对每种材料的材料尺寸、材料名称、各特征值的代表含义以及表示符号的说明（见第4章）；

g）删除了原标准中的举例，增加了新的命名示例（见4.1.8以及

4.2.7，1989年版第2章）。

三、综述报告、技术经济论证，预期达到的经济效益、社会效益

和生态效益

（一）命名方法的分析

1.型号结构

充分调研了国内红外探测材料多个生产、应用单位对型号命名的已有方法和需求，在这个基础上分别针对红外探测半导体材料和热释电材料的生产和应用需求设计了不同的型号。例如参考了中国电子科技集团公司第十一研究所的锑化铟晶片以及碲锌镉衬底的企业标准、中国电科46所硫化镉晶片等企业标准中的型号命名方法部分，同时参考了GB/T14844-2018半导体