- 1、本文档共33页,其中可免费阅读10页,需付费100金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体加工全流程演讲人:日期:
目?录CATALOGUE02薄膜沉积技术01晶圆生长技术03光刻技术04蚀刻技术05掺杂技术06工艺整合与测试
01晶圆生长技术
晶圆材料选择与制备半导体材料种类硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。极高,需达到99.9999999%(9个9)以上。材料纯度要求区熔法、直拉法(CZ法)等。制备工艺
直拉法、区熔法、浮区法等。晶体生长方法通过加热使材料熔化,再缓慢冷却凝固成单晶体。生长原理温度、压力、气氛、晶种质量等。影响因素晶体生长方法与原理010203
合格标准符合后续加工工序要求。质量检测项目纯度、结晶质量、电阻率、表面平整度等。评估方法X射线衍射
文档评论(0)