TCASME-功率集成模块（PIM）通用技术要求及编制说明.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

CASME

团体标准

T/CASMEXXXX—XXXX

功率集成模块（PIM）通用技术要求

GeneraltechnicalrequirementsforPowerIntegrationModule(PIM)

征求意见稿

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中国中小商业企业协会  发布

T/CASMEXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由乐山希尔电子股份有限公司提出。

本文件由中国中小商业企业协会归口。

本文件起草单位：乐山希尔电子股份有限公司、XXX、XXX。

本文件主要起草人：XXX、XXX、XXX。

I

T/CASMEXXXX—XXXX

功率集成模块（PIM）通用技术要求

1范围

本文件规定了功率集成模块的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和

贮存的要求。

本文件适用于各类工业自动化、手工焊机、新能源发电、电动汽车、家电等领域使用的功率集成模

块（PIM）。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2423.1-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温

GB/T2423.2-2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温

GB/T2423.22-2012环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化

GB/T2423.50-2012环境试验第2部分：试验方法试验Cy:恒定湿热主要用于元件的加速试验

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

功率集成模块(PIM)PowerIntegrationModule

将多个功率器件(如IGBT、MOSFET等)、驱动电路、控制电路和保护电路等集成在一个封装内，用于

实现电能转换与控制的功能模块。

4文字符号

GB/T29332-2012第4章适用。

5工艺概述

5.1功率集成模块主要包括覆铜陶瓷基板、三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC

器件。将二极管整流模块与IGBT模块集成在同一模块上，用clip工艺代替了传统的铝线工艺，提高了

产品的散热效率，增加功率集成模块热疲劳寿命。

5.2三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个二极管芯片一一对应的

clip铜片；三相逆变单元包括六个IGBT芯片、六个与六个IGBT芯片一一对应的clip发射极铜片和六

个与六个IGBT芯片一一对应的clip控制极铜片；制动单元包括二极管芯片Ⅶ、IGBT芯片Ⅶ、clip铜

片、clip发射