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1
微波瓷介芯片电容器用陶瓷基片
1范围
本文件规定了陶瓷介质基片的命名规则、结构尺寸、技术要求、检验方法、检验规则及包装、运输、贮存等内容。
本文件适用于微波芯片电容器用陶瓷基片(以下简称“基片”)。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划
3术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4命名规则
基片命名规则如下：
5结构尺寸
基片通常为正方形见图1，长、宽编号见表1，厚度编号见表2。
图1基片结构示意图
2
表1长、宽编码
长、宽编码
长、宽尺寸（mm）
25
25.4±1.5
38
38.1±1.5
51
50.8±1.5
表2厚度编码
厚度编码
厚度尺寸（mm）
10
0.102±0.025
12
0.127±0.025
17
0.178±0.025
25
0.254±0.025
30
0.305±0.051
38
0.381±0.051
51
0.508±0.051
6技术要求
6.1尺寸
基片尺寸应符合表1、表2的要求，或用户特殊要求。
6.2外观
外观应符合表3的要求。
表3外观要求
项目
最大允许值
示意图
裂纹
不允许
瓷泡
不允许
凸脊
直径或等效直径0.076mm
毛刺
长0.076mm
凹坑
直径或等效直径0.076mm
缺损
长0.25mm，宽0.25mm
6.3表面粗糙度
3
表面粗糙度应满足Ra≤0.8μm的要求。
6.4技术性能
基片的技术性能应满足表4的要求。
表4技术性能要求
瓷料分类
温度特性代码
介电常数
温度特性
温度范围
损耗角正切最大值
绝缘电阻最小值
表5步骤A到D
表5步骤E到G
1类瓷
BP
20～80
（0±30）ppm/℃
—
-55℃~﹢125℃
0.15%
10Ω
BH
40～120
（0±60）ppm/℃
0.15%
10Ω
BA
10～20
（100±30）ppm/℃
—
0.15%
10Ω
BU
120～180
（-750±250）ppm/℃
—
0.25%
10Ω
BV
180～350
（-1500±500）ppm/℃
—
0.30%
10Ω
BK
180～360
（-2200±500）ppm/℃
—
0.50%
10Ω
BD
600～900
（-3300±1000）ppm/℃
—
0.50%
10Ω
2类瓷
BR
1000～2000
±15%
-40％～+15%
2.5%
10Ω
BX
2000～3000
±15%
-25％～+15%
2.5%
10Ω
BY
1000～5000
±15%
—
3.0%
10Ω
BW
3000～5000
±20%
—
4.0%
10Ω
3类瓷
BS
15000～55000
±15%
—
2.5%
10Ω
X7S
15000～55000
±22%
7检验方法
7.1环境条件
除另有规定外，所有检验均应在标准大气条件下进行，相对湿度不超过75％。
7.2样品制备
测量介电常数、温度特性、介质损耗角正切、绝缘电阻时，按下述方法制备样品。在基片表面制备金属电极（如Ag或Au电极）。1类瓷和2类瓷：划出1.0mm×1.0mm～3.0mm×3.0mm的平行板电容器；3类瓷：划出1.0mm×1.0mm左右的平行板电容器。
7.3检验方法
7.3.1尺寸
游标卡尺或千分尺。
7.3.2外观
在灯光下用20~45倍显微镜进行检查。对裂纹检查，必要时可用浸色液后再行目测。
7.3.3表面粗糙度
用针触式表面粗糙度测量仪进行测量。
7.3.4介电常数
测试出电容器的长、宽、厚和电容量；根据式（1）计算了介电常数。
a)测试频率：容量不大于100pF时测试频率1MHz±50kHz；容量大于100pF时测试频率1kHz±100Hz；
b)测试电压：(1.0±0.2)Vrms。
4
························································
式中：
K——介电常数；
l——测试出电容器的长；w——测试出电容器的宽；t——测试出电容器的厚；
c——测试出电容器的电容量。
7.3.5温度特性
电容器的电容量等于或大于10pF。电容器
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