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半极性algan基日盲紫外探测器研究.docx

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摘要

AlGaN材料的禁带宽度可调至日盲区,制成的日盲紫外探测器无需滤光系统、可在低偏压条件下工作、抗辐射能力好,基本克服了目前被广泛应用的紫外光电倍增管和Si基紫外光电管体积庞大、需要大功率源和昂贵的滤光片系统等不足。而且半极性AlGaN内部的极化场较弱,光生载流子复合的能力较强,这会加快紫外探测器的响应速度,提高探测器的响应频率。因此,半极性AlGaN在制作日盲紫外探测器方面拥有非常大的潜力。

对半极性AlGaN进行了研究,成功采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上先后生长了具有不同生长温度、不同厚度的(11-22)面A

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