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摘要
硒化铟（InSe）作为一种典型的二维（2D）层状半导体材料，在当今材料科
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学领域备受关注。其层间相互作用较弱，可以通过简单的机械剥离获得单层或少层
硒化铟。此外，硒化铟在可见光范围内表现出优异的光学特性，具有高吸收系数和
较高的光电转换效率。特别值得注意的是，作为一种同时具有面内和面外极化的铁
电材料，2DVanderWaals（vdW）InSe在多场调控领域具有独特的应用潜力。本
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