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模拟电子技术基础试题汇总附有答案--第1页模拟电子技术基础试题汇总附有答案--第1页
模拟电子技术基础试题汇总
一.选择题
1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将(A)。
A增大B减小C不变D等于零
2.某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管(D)
A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.已损坏
3.某放大电路图所示.设VVL≈0,则在静态时该三极管处于(B)
CCBE,CEO
A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定
4.半导体二极管的重要特性之一是(B)。
(A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)滤波特性
5.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生
(B)失真。
(A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线性失真
U
6.电路如图所示,二极管导通电压=0.7V,关于输出电压的说法正确的是(B)。
D
A:u=3V,u=0.3V时输出电压为3.7V。
I1I2
B:u=3V,u=0.3V时输出电压为1V。
I1I2
C:u=3V,u=3V时输出电压为5V。
I1I2
D:只有当u=0.3V,u=0.3V时输出电压为才为1V。
I1I2
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q点移动到Q点可
23
能的原因是。
A:集电极电源+V电压变高B:集电极负载电阻R变高
CCC
C:基极电源+V电压变高D:基极回路电阻R变高。
BBb
模拟电子技术基础试
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