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垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元.pdfVIP

垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元.pdf

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垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第1页

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号

CN109036485A

(43)申请公布日2018.12.18

(21)申请号CN201810219002.8

(22)申请日2018.03.16

(71)申请人桑迪士克科技有限责任公司

地址美国得克萨斯州

(72)发明人G.米哈伊洛维奇;J.S.里尔

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人邱军

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元

(57)摘要

一种四端子磁阻式存储器单元,其包括磁

隧道结堆叠体、铁电层以及在磁隧道结堆叠体和

铁电层之间的非铁磁自旋极化层。磁隧道结包括

具有固定磁化方向的第一层、能够改变磁化方向

的自由层、以及在第一层和自由层之间的绝缘

层。非铁磁自旋极化层配置为响应于通过非铁磁

自旋极化层的电流和铁电层处接收的电压产生垂

直自旋极化。垂直自旋极化在自由层上施加扭矩

以改变自由层的磁化方向。

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垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第2页

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2018-12-18公开公开

2018-12-18公开公开

2019-01-11实质审查的生效实质审查的生效

垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第2页

垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第3页

权利要求说明书

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垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第3页

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说明书

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垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第4页

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