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垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号
CN109036485A
(43)申请公布日2018.12.18
(21)申请号CN201810219002.8
(22)申请日2018.03.16
(71)申请人桑迪士克科技有限责任公司
地址美国得克萨斯州
(72)发明人G.米哈伊洛维奇;J.S.里尔
(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所
代理人邱军
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
垂直自旋轨道扭矩磁阻式随机存取存储器的存储器单元
(57)摘要
一种四端子磁阻式存储器单元,其包括磁
隧道结堆叠体、铁电层以及在磁隧道结堆叠体和
铁电层之间的非铁磁自旋极化层。磁隧道结包括
具有固定磁化方向的第一层、能够改变磁化方向
的自由层、以及在第一层和自由层之间的绝缘
层。非铁磁自旋极化层配置为响应于通过非铁磁
自旋极化层的电流和铁电层处接收的电压产生垂
直自旋极化。垂直自旋极化在自由层上施加扭矩
以改变自由层的磁化方向。
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法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2018-12-18公开公开
2018-12-18公开公开
2019-01-11实质审查的生效实质审查的生效
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权利要求说明书
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看
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说明书
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