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有源层共混对OFET性能及NO2气敏性影响的研究
一、引言
近年来，有机场效应晶体管（OFET）作为一种新兴的半导体器件，在显示技术、传感器和逻辑电路等领域有着广泛的应用前景。有源层是OFET的重要组成部分，其材料的选择和共混比例对OFET的性能具有重要影响。此外，对于某些特定应用，如气体传感器，OFET的气敏性也是一个重要的评价指标。本文将重点研究有源层共混对OFET性能及对NO2气敏性的影响。
二、OFET及NO2气敏性基本原理
首先，我们需要了解OFET的基本工作原理。OFET是一种基于有机半导体材料的场效应晶体管，其性能主要取决于有源层的材料性质和结构。有源层中的载流子在电场作用下移动
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