【重点研报】2024年太阳能电池片产业海外专利预警分析报告-上海知识产权保护中心-181页.pptx

图2-1全球专利主体归属地域及专利布局情况14

图2-2国内专利主体归属地域及专利布局情况18

注：由于专利申请延迟公开、数据库收录时滞等原因，近两年的图示数据低于实际数据。图2-3基于归属地域的专利申请趋势对比22

2.2.2 海外主体排名（全球申请量vs中国申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图2-6基于全球布局及中国专利布局的海外TOP15主体29

2.2.3 中国主体排名（全球申请量vs海外申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图2-7基于全球布局及海外专利布局的中国TOP15主体31

2.2.4 上海主体排名（全球申请量vs海外申请量）注：以集团为单位，合并关联公司旗下的申请量。图2-8基于全球布局及海外专利布局的上海TOP15主体33

注：潜在风险统计非失效专利申请量，包含：有效专利、审中申请、仍在指定期中的PCT申请。另外，此处仅展示非失效申请量突出的潜在风险主体。图4-1晶科能源专项预警-潜在风险主体及其布局地域（选取非失效申请量突出的主体）68

764.3.1 基于海外主体全球专利布局的风险专利清单（1）第一梯队：高风险表4-4海外主体-全球高风险专利清单（发生过历史风险的专利）历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人诉讼US8878053B2具有成形发射极的前接触太阳能电池有效2012/6/13迈可晟太阳能有限公司诉讼DE502010015002D1半导体器件和半导体器件的制造方法有效2010/5/31韩华思路信(株)诉讼DE602009038887T2具有由沟槽结构分隔的掺杂多晶硅区域的背接触太阳能电池及其生产方法有效2009/4/29迈可晟太阳能有限公司诉讼AU2008323025C1具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)诉讼US8222516B2具有成型发射极的前接触太阳能电池有效2008/2/20迈可晟太阳能有限公司诉讼DE102007005161B4基板金属化工艺有效2007/1/29雷纳技术有限责任公司

77历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人诉讼|无效US9893215B2具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)无效U2具有分离的多晶硅掺杂区的背面接触太阳能电池有效2018/10/10迈可晟太阳能有限公司无效CN102804407B半导体设备和半导体设备的制造方法有效2010/5/31韩华思路信无效US8933525B2半导体装置和半导体装置的制造方法有效2010/5/31韩华思路信(株)无效CN102057497B具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构有效2009/4/29迈可晟太阳能有限公司无效CN101438420B具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池有效2007/2/9迈可晟太阳能有限公司无效|异议EP2210283B2使用硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法有效2008/11/13荷兰能源建设基金中心异议KR102333503B1金属箔辅助制造薄硅太阳能电池有效2013/6/20太阳能公司异议KR101541660B1发明名称n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法有效2012/7/17株式会社力森诺科

78历史风险情况公开(公告)号标题（简体中文）法律状态申请日当前申请(专利权)人异议KR102049604B1太阳能电池及其制造方法有效2011/12/16周星工程股份有限公司异议KR102068845B1用于制造太阳能电池的工艺和结构有效2011/9/20迈可晟太阳能有限公司异议KR102007102B1具有隧道介电层的太阳能电池的制造方法有效2011/4/27迈可晟太阳能有限公司异议JP5815215B2扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法有效2010/8/4东京应化工业株式会社异议KR102015072B1基于晶圆的太阳能电池板的制造方法有效2009/4/2REC太阳能私人异议DE602008010665T2通过硼和磷的共扩散制备晶体硅太阳能电池的方法有效2008/11/13荷兰能源建设基金中心异议DE502008012155D1具有表面钝化双层电介质的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)异议EP2220689B1具有表面钝化介电双层的太阳能电池的制造方法及相应的太阳能电池有效2008/11/6韩华思路信(株)

79（2）第二梯队：中风险表4-5海外主体-全球中风险专利清单（企业活动关联专利）