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摘要
碲化铋(Bismuthtelluride,BiTe)基薄膜热电器件作为有望解决芯片散热以及
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微电子器件电源的半导体器件一直受到关注与研究。本文从器件制备目标出发，详
细研究了影响BiTe基热电器件性能发挥的几大方面，并制备出高性能的薄膜及
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热电器件。
文章通过研究薄膜制备工艺，筛选了薄膜沉积条件与薄膜配方，选定了聚酰亚
胺衬底与Bi
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