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集成负压的GaN栅极串扰抑制驱动芯片设计
一、引言
随着半导体技术的快速发展，氮化镓（GaN）技术因其高效率、高功率和低成本的特性在电力电子领域中得到了广泛应用。然而，在GaN功率放大器中，栅极驱动电路的设计至关重要，其直接关系到器件的效率和可靠性。由于电路中的高频率和高功率，经常会出现诸如串扰等噪声问题，这不仅会影响系统的性能，还可能对设备造成严重损害。因此，集成负压的GaN栅极串扰抑制驱动芯片设计成为了一个热门的研究课题。本文旨在详细阐述集成负压的GaN栅极串扰抑制驱动芯片的设计原理、方法及其实验结果。
二、GaN栅极驱动电路的挑战
在GaN功率放大器中，由于高频率和高功率的工作环境，栅极
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