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将上述相位/电压转换法中鉴相器的时间间隔Tx用计数法对它进行测量，便构成相位/时间转换式相位计，如图2-9所示。它与时间间隔的计数测量原理基本相同，若时标脉冲周期为TC，则在Tx时间内的计数值为logo图2-9相位/时间转换式数字相位计原理图01040203如果采用十进制计数器计数，而且时标脉冲周期TC与被测信号周期T满足以下关系式式中，n为正整数。由上式可知，时标脉冲频率fC与被测信号频率fx的关系为由于时标频率fC不允许太高，所以计数式相位计只能用于测量低频率信号的相位差，而且要求测量精度越高（即n越大），能测量的频率fx越低。此外，当被测信号频率fx改变时，时标脉冲频率fC也必须相应改变。这些是计数式相位计的缺点。2.2电压和电流的测量技术直流电压的测量技术交流电压的测量技术霍尔效应与霍尔元件A1879年，美国物理学家霍尔（）首先在金属材料中发现霍尔效应。B最先用于磁场测量；C20世纪50年代后，由于微电子技术的发展，开始用半道理材料制成霍尔元件。D霍尔传感器广泛用于电磁测量，压力，加速度，振动等方面的测量。霍尔效应的实质是磁电转换效应。如图2-15所示的有限尺寸的霍尔材料中，在y方向加电流I，在z方向加恒定磁场B.图2-15霍尔效应此时，半导体中的载流子（设为电子）将受洛伦兹力F的作用向-x方向运动，使-x平面上堆积了负电荷，+x平面上就有多余的正电荷，从而在半导体内又产生了一个横向电场。这个横向电场的电场力与洛伦兹力的方向正好相反，在这两种力的作用下，使-x平面上堆积的负电荷越来越多，横向电场力就越来越大。由于洛伦兹力F保持不变，当作用在电子上的洛沦兹力和横向电场力相平衡时，电子的运动就会停止。在稳定状态下，半导体片两侧面（x方向）的负电荷和正电荷相对积累，形成电动势，这种现象称为霍尔效应。01由此而产生的电动势称为霍尔电势。霍尔电势VH的大小为：02VH=KHIB（2-9）03式中，KH为霍尔灵敏度，它表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电势差的大小；I为控制电流；B为磁感应强度。04式（2-9）是表示传感器受磁面与所加磁场成直角的情况。如果受磁面与所加磁场夹角为θ，则式（2-9）为05VH=KHIBsinθ（2-10）在工程应用中，控制电流I通常为几毫安到几十毫安；B的单位可为高斯（Gs）或特斯拉（T），1特斯拉（T）＝104高斯（Gs）；KH通常表示电流为1mA，磁场为1kGs时的输出电压，单位为mV/(mA·kGs)，它与元件材料的性质和几何尺寸有关。霍尔元件常用材料有N型锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铅（InAs）、砷化镓（GaAs）等。目前常用的有InSb和GaAs两种，其特性如图2-16所示。由图2-16可见两者都具有良好的线性特性。InSb材料霍尔元件的特点：①稳定性好，受漂移电压的影响较小；②霍尔电压受温度变化影响较大；③频率特性较差。GaAs材料霍尔元件的特点：①霍尔电压的温度系数较小；②线性好；③灵敏度低。目前常用的霍尔元件材料有:锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。霍尔元件的外形如图2-17（a）所示，由霍尔片、4根引线和壳体组成。霍尔元件的结构如图2-17（b）所示，霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，在它的长度方向两端面上焊接有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线；在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊接有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线。霍尔元件的壳体上是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。图2-17（c）为霍尔元件符号。1外形（b）结构（c）符号2图2-17霍尔元件34）霍尔元件主要技术参数输入电阻RIN和输出电阻ROUT。霍尔元件控制电流极间的电阻为RIN；霍尔电压极间的电阻为ROUT。输入电阻与输出电阻一般为100～2000Ω，而且输入电阻大于输出电阻，但相差不太多，使用时不能搞错。01额定控制电流I。额定控制电路I为使霍尔元件在空气中产生10℃温升的控制电流。I大小与霍尔元件的尺寸有关，尺寸愈小，I愈小。一般为几毫安～几十毫安。