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EBLSiGeHBT扭结效应及其Mextram模型研究
一、引言
随着半导体技术的快速发展，EBL（嵌入式基底技术）在SiGeHBT（硅锗异质结双极晶体管）器件中的应用日益广泛。在这样的大背景下，SiGeHBT扭结效应成为了业界关注的焦点之一。为了更准确地理解和控制这种效应，并进一步提升器件性能，本研究以Mextram模型为研究基础，深入探讨扭结效应的影响及模拟研究。
二、SiGeHBT扭结效应概述
SiGeHBT扭结效应指的是在特定条件下，SiGe异质结中的能带结构发生变化，导致电子和空穴传输性能发生改变的现象。这一现象在SiGeHBT器件中具有重要意义，因为扭结效应可能影响器
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