逻辑控制电路赵.ppt

根据表8-1，可以将该电动机的驱动步序进一步简化。简化后步进电机状态功能选择如表8-2所示。得到的卡诺图如图8-16所示，根据图8-16所示的电动机驱动步序卡诺图,可以得到书中234页所示的逻辑关系,根据所得到的逻辑关系,我们可以对芯片进行编程.(有时间就具体讲解:235页下面我们就具体看一下选用PAL16R4芯片（20引脚）构成可对两台步进电机实施控制的环行分配器。编程的源文件如下：235页编程文件中第一行至第六行为设计文件说明节。第一行为所选芯片名和设计标题，第二行为设计器件标号和设计日期，第三行为所设计器件名称，第四行为设计者所在公司名称，第五行和第六行分别为对引脚1～10与引脚11～20的功能定义。这里“/”代表“非”逻辑，“；”后面为注释语句。逻辑控制电路中较简单的是二值可控元件驱动电路，也就是上述的“真”与“非”两种基本逻辑状态的控制电路本节主要讲述以下基本二值可控元件驱动电路:一……二…..三……如果负载所需的电流不太大，可采用图8-1所示的晶体管直流负载功率驱动电路。这里负载用ZL而不用RL表示，是强调该负载可以是电阻性负载，也可以是电抗性负载。当控制信号Ui为低电平时，Ib较小,晶体管V截止，负载ZL中电流IL为0；当控制信号Ui为高电平时，Ib较大,晶体管V导通（工作于饱和区），负载ZL中电流IL=(Ec－Uce)/ZL，Uce为晶体管V集电极与发射极间的饱和电压降。VD是续流二极管，对晶体管V起保护作用。当驱动感性负载时，在晶体管关断瞬间，感性负载所存储的能量可通过VD的续流作用而泄放，从而避免被反向击穿当所需的负载电流IL较大时，由于单个晶体管的?值有限，Ib必须很大，以确保V导通时工作于饱和区。为减小对控制信号电流强度的要求，可采用达林顿器件（通常也称复合晶体管）构成功率驱动电路一.通常所称的晶体管，其全称应为双极型晶体管。场效应管的全称为场效应晶体管。二.幻灯图8-2a是VMOS及TMOS场效应管引出电极的内部关系简图，虚线框表示其封装范围。其中二极管VDS是在制造过程中形成的。与普通场效应管不同，如果在使用中将漏极D与源极S接反，会导致性能丧失或损坏。图8-2b为典型的功率场效应晶体管直流负载功率驱动电路。当控制信号Ui小于开启电压UGS时，V截止，直流负载ZL中电流IL为0；当控制信号Ui大于开启电压UGS时，V导通，直流负载RL中电流IL=Ec/（ZL＋RDS）。式中RDS为V漏极D与源极S间的导通电阻。电路中稳压二极管VS对功率场效应晶体管实施保护。。图8-3a是其图形符号，其中阳极A与阴极K是主电极，门极G是控制电极。单向晶闸管的工作状况可用两个条件予以说明，一是导通条件，二是关断条件。双向晶闸管亦称双向半导体开关元件（TRIAC）。电极MT1与电极MT2是主电极，门极G是控制电极，触发电压应施加在门极G与电极MT2之间。双向晶闸管的关断条件与单向晶闸管类似，即主电极MT1与电极MT2之间的电流小于其维持电流IH，晶闸管即进入关断状态图8-4为交流半波导通功率驱动电路。其中V2是单结晶体管，负载ZL与晶闸管V3串联后接于交流电源u上。当控制信号Ui为高电平时，晶闸管V3导通，负载ZL中有半波交流电流IL通过。当控制信号Ui为低电平时，晶闸管V3截止，负载ZL中电流IL为0。如果控制信号Ui为高电平，光电耦合器VLC中二极管无电流而不发光，使得光敏三极管V1截止，P1与P2间电位差仅取决于负载ZL、电阻R5和稳压管VS的参数而与VD回路无关。在u的正半周，P1与P2间的电压使电容C上的电位逐渐增加到足够高，导致单结晶体管V2的射极e与第一基极b1间突然导通。e与b1的导通一方面提供正向触发脉冲使晶闸管V3导通，另一方面使电容C上的电位迅速降低为0。此后晶闸管V3的导通状态一直延续到u的正半周基本结束。这时因u接近零而使晶闸管V3中的电流ILIH，晶闸管V3进入截止状态。在u的负半周，因晶闸管的A、K电极间为反向电压，不满足导通条件，晶闸管V3仍处于截止状态。直至u的下一个正半周，晶闸管V3再触发导通。如果控制信号Ui为低电平，光电耦合器VLC中发光二极管导通发光，使得光敏三极管V1导通，P1与P2间电位差显著降低，单结晶体管V2无法建立使晶闸管VT导通的触发电平，因而负载ZL中的电流IL始终为0。调整C与R2的数值，可改变晶闸管V3在u正半周的导通角，从而达到改变负载ZL中平均电流IL大小的目的。继电器与电磁阀均为电感性负载，是典型的二值可控元件。对继电器或接触器的驱动，实际上是对其励磁线圈电流通