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半导体单晶硅生长用石英坩埚生产规范

1范围

本文件确立了半导体单晶硅生长用石英坩埚从业人员、生产设备、主要原辅材料、生产工艺、作业环境及产品质量管控的程序和总体原则。

本文件适用于半导体单晶硅生长用石英坩埚生产过程。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB8978污水综合排放标准

GB12348工业企业厂界环境噪声排放标准

GB16297大气污染物综合排放标准

GB18597危险废物贮存污染控制标准

GB18599一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准

GB50034建筑照明设计标准

GB50073洁净厂房设计规范

GBZ2.1工作场所有害因素职业接触限值第1部分：化学有害因素

GBZ188职业健康监护技术规范

GBZ/T189.8工作场所物理因素测量第8部分：噪声

GBZ1-2010工业企业设计卫生标准第6部分：工作场所基本卫生要求JC/T2205-2014石英玻璃术语

3术语和定义

JC/T2205-2014《石英玻璃术语》、T/CEMIA005-2018《光伏单晶硅生长用石英坩埚生产规范》界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1电弧熔制electricarcfusion

利用高温电弧熔融石英砂原料的过程。

[来源：T/CEMIA005-2018，3.1，有修改]

3.2外表面处理outersurfacetreatment

利用研磨器具或外力冲击作用去除石英坩埚外表面未完全熔融石英砂的过程。[来源：T/CEMIA005-2018，3.2]

3.3切边倒棱cuttingandchamfering

3

利用切割工具对石英坩埚毛边进行切断，并对切割断面进行倒角处理的过程。[来源：T/CEMIA005-2018，3.3]

3.4化学清洗chemicalcleaning

利用化学药液侵蚀石英坩埚内、外表面，去除内、外表面杂质的过程。[来源：T/CEMIA005-2018，3.4]

3.5干燥drying

使石英坩埚内、外表面及端口残留水份气化蒸发从而去除的过程。

3.6涂层coating

在石英坩埚内壁或外壁涂覆特种材料的过程。[来源：T/CEMIA005-2018，3.5]

4从业人员

4.1职业健康

应按照GBZ188的要求，对从业人员进行岗前、岗中、离岗职业健康体检，同时配备符合要求的个体防护用品，保证从业人员符合职业健康安全管理要求。

4.2岗位技能

从业人员应通过三级安全教育、岗位技能培训，经考核合格后方可上岗。

5生产设备

5.1熔制设备

应具有电极开闭、升降、旋转、冷却、弧变、除尘等装置。5.2外表面处理设备

应具有喷砂、研磨等功能。

5.3切边倒棱设备

应具有对中、切断、内倒角、外倒角等功能。

5.4化学清洗设备

应具有药液冲洗、雾气收集处理、纯水冲洗功能的装置。

5.5干燥设备

应具有使石英坩埚内外表面水分挥发功能的装置。5.6涂层设备

应具有涂层材料涂覆功能的装置。

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6主要原辅材料

6.1石英砂

石英砂杂质元素含量应符合表1规定。

表1石英砂杂质元素含量

单位为微克每克

位置

元素名称

铝Al

钙Ca

镁Mg

钡Ba

铬Cr

铜Cu

铁Fe

镍Ni

锰Mn

锂Li

钠Na

钾K

锆Zr

钛Ti

锗Ge

磷P

硼B

内层合成

0.1

0.02

0.02

0.01

0.01

0.02

0.05

0.01

0.01

0.01

0.05

0.01

0.01

0.02

0.01

0.02

0.03

内层高纯

9

0.8

0.1

0.05

0.05

0.1

0.5

0.05

0.1

0.5

0.5

0.5

0.5

1.5

1.5

0.05

0.05

内层普通

13.5

1.2

0.1

0.1

0.1

0.1

0.5

0.1

0.1

0.8

0.8

0.8

0.5

2.0

1.5

0.05

0.1

6.2石墨电极

应符合以下要求：

a)体积密度：≥1.65g/cm3；

b)电阻率：≤8.5μΩ·m；

c)灰分：≤50μg/g；

d)抗压强度：≥35Mpa；

e)抗折强度：≥15Mpa。

6.3化学药液、涂层原料

6.3.1化学药液

纯度≥EL级。6.3.2涂层原料

纯度≥99.99%。

6.4纯水

电阻率≥16.5MΩ