2025年人教版高中物理必修第三册第十三章综合检测试卷及答案.docVIP

第十三章素能测评卷

(时间：75分钟，满分：100分)

一、单项选择题(本题共7小题，每小题4分，共28分，在每小题给出的四个选项中，只有一个选项符合题意)

1．电视机显像管的偏转线圈示意图如图所示，某时刻电流方向如图所示，则环心O处的磁场方向()

A．向上 B．垂直纸面向里

C．向下 D．垂直纸面向外

答案：C

解析：对于左、右两个螺线管，由安培定则可以判断出上方均为N极，下方均为S极，所以环心O处的磁场方向向下。故选C。

2．华为手机麒麟9000型芯片是5nm制作工艺，光刻机是芯片制造的核心设备之一。光刻机通过一系列的光源能量，将光束透射过画着线路图的掩模，用透镜将线路图成比例缩小后映射到涂有化学层的硅片上，受到光线照射的部分，可以被冲洗掉，在硅片上就得到了掩膜上的电路图。芯片的制作过程需要用较大能量光子的光照射，应选用的光源是()

A．波长长的光源 B．频率大的光源

C．强度小的光源 D．强度大的光源

答案：B

解析：由光子的能量公式，即ε＝hν可知，频率越大的光子能量越大，光子的能量与光的强度无关，而根据公式ν＝eq\f(c,λ)可得，波长越长，光子的频率越小，A、C、D错误，B正确。故选B。

3．如图，空间固定一条形磁体(其轴线水平)，穿过圆环的磁通量先减小再增大的是()

A．圆环a沿磁体轴线由磁体N极向右移至S极

B．圆环a沿磁体轴线由磁体N极左侧向左移至无穷远

C．圆环b从磁体正下方竖直下落

D．圆环c从磁体右边的位置1下降到位置3

答案：D

解析：圆环a沿磁体轴线由磁体N极向右移至S极，穿过圆环的磁通量先增大后减小，故A错误；圆环a沿磁体轴线由磁体N极左侧向左移至无穷远，穿过圆环的磁通量一直减小，故B错误；圆环b从磁体正下方竖直下落，穿过圆环的磁通量一直减小，故C错误；圆环c从磁体右边的位置1下降到位置2，穿过圆环的磁通量一直减小，从位置2下降到位置3，穿过圆环的磁通量一直增大，故D正确。故选D。

4.如图所示，施工员确定地下金属管线位置的一种方法如下：①给管线通入电流；②用可测量磁场强弱、方向的仪器在管线附近水平地面上找到磁场最强的某点，记为a；③在a点附近地面上找到与a点磁感应强度相同的若干点，将这些点连成直线EF；④在地面过a点垂直于EF的直线上，找到磁场方向与地面夹角为37°、距离为L的b、c两点，不计地磁场影响，sin37°＝0.6，则()

A．管线垂直于EF

B．管线深度为eq\f(2,3)L

C．b、c两点磁感应强度相同

D．管线中应通入大小、方向变化的电流

答案：B

解析：画出截面图，如右图所示，a点磁感应强度最大，在金属管线的正上方，因此金属管线平行于EF，故A错误；由几何关系可知，管线深度d＝eq\f(\f(L,2),tan37°)＝eq\f(2,3)L，故B正确；由图可知，b、c到金属线距离相同，则两点磁感应强度大小相同，方向不同，故C错误；管线中应该通恒定电流，便于判断磁感应强度最强点，故D错误。故选B。

5．如图所示的闭合铁芯上绕有一组线圈，与滑动变阻器、电池构成闭合电路，a、b、c为三个闭合金属圆环，假定线圈产生的磁场全部集中在铁芯内，则当滑动变阻器的滑片左、右滑动时，能产生感应电流的金属圆环是()

A．a、b两个环 B．b、c两个环

C．a、c两个环 D．a、b、c三个环

答案：A

解析：当滑片左、右滑动时，通过a、b的磁通量变化，而通过c环的合磁通量始终为零，故a、b两环中产生感应电流，而c环中不产生感应电流。

6．如图所示，在xOy平面内有以y轴为边界的磁感应强度大小相等、方向相反的两匀强磁场，金属圆环的圆心为O。下列过程会使环中产生感应电流的是()

A．环沿y轴平移一小段距离

B．环沿x轴平移一小段距离

C．环绕y轴转动一小角度

D．环绕x轴转动一小角度

答案：B

解析：感应电流产生的条件是，穿过线圈的磁通量发生变化：环沿y轴平移一小段距离、环绕y轴转动一小角度、环绕x轴转动一小角度穿过线圈的磁通量始终为零，保持不变，所以无感应电流产生，故A、C、D错误；环沿x轴平移一小段距离，穿过线圈的磁通量发生改变，能产生感应电流，故B正确。故选B。

7.无限长直导线在周围某点产生的磁场的磁感应强度大小与导线中电流大小成正比，与该点到导线的距离成反比。三根无限长直导线垂直纸面平行放置，分别位于直角三角形OMN的三个顶点处。导线中通入大小分别为2I、I、和I的恒定电流，方向如图所示。P为MN连线中点，则P处磁感应强度方向为()

A．水平向右 B．水平向左

C．竖直向下 D．竖直向上

答案：A

解析：根据安培定则结合几何关系，N处导线在P点产生的磁感应强度方向垂直MN向上(与水平方向夹角为60°)，大