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CMMSG-DTSA-CCP-Agency-EMC
Slim
;ESD模型分类
因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，ESD放电模型分下列四类:
(1)人体放电模式(Human-BodyModel,HBM)
(2)机器放电模式(MachineModel,MM)
(3)组件充电模式(Charged-DeviceModel,CDM)
(4)电场感应模式(Field-InducedModel,FIM)
另外还有两个测试模型：
(5)对于系统级产品测试的IEC电子枪放电模式
(6)对于研究设计用的TLP模型
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;HBM、MM、CDM的脉冲波形
左图：2-KVHBM与200-VMM的放电比较，200-VMM的放电电流比2-KVHBM的放电电流大，因此机器放电模式对IC的破坏力更大。
右图：1KVCDM的放电电流在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路的损伤。
;定义4个测试等级，2種测试方法：接触放电和空气放点
相同等级的接触放电和空气放点虽然电压值不同，但是对系统所产生的效果是一致的。
在测试时要优先使用接触放电模式，只有在接触放电打不到的地方才使用空气放点模式。
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