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一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构--第1页

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明

书

（10）申请公布号

CN106205668B

（43）申请公布日2019.12.03

（21）申请号CN201610595159.1

（22）申请日2016.07.25

（71）申请人中电海康集团有限公司

地址311121浙江省杭州市余杭区文一西路1500号1幢311室

（72）发明人毛欣

（74）专利代理机构杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人杨天娇

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构

（57）摘要

本发明公开了一种自旋力矩转移磁性随机

存储器的写电路结构，包括磁性隧道结，以及源

线、位线和字线、第一开关管、第二开关管、控

制单元和电容；其中，所述磁性隧道结的自由层

与第一开关管的漏极相连，所述磁性隧道结的参

考层与第二开关管的源极相连；所述第一开关管

的源极接源线，所述第二开关管的漏极接位线；

所述电容的一端接地，另一端连接到控制单元的

输入端，并连接第一开关管的漏极或磁性隧道结

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一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构--第2页

的自由层；所述控制单元的输入端分别连接字

线、源线或位线、以及第一开关管的漏极或磁性

隧道结的自由层，控制单元输出端接第一开关管

和第二开关管的栅极。本发明能够避免重复的写

入动作，达到降低MRAM写功耗和芯片动态功耗的

目的。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2016-12-07公开公开

2016-12-07公开公开

2016-12-07公开公开

2016-12-07公开公开

2016-12-07公开公开

2017-09-15实质审查的生效实质审查的生效

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2017-11-10著录事项变更著录事项变更

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