一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术.pdfVIP

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第1页

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（10）申请公布号

CN101615564B

（43）申请公布日2011.01.12

（21）申请号CN200810132429.0

（22）申请日2008.07.15

（71）申请人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

（72）发明人黄辉;任晓敏;吕吉贺;蔡世伟;王琦;黄永清

（74）专利代理机构北京金之桥知识产权代理有限公司

代理人朱黎光

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术

（57）摘要

本发明提供一种异质外延生长工艺，

外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次

生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽

工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨

数失配度大于10％。本发明成功解决了

热失配较大的材料间异质外延的裂纹问题，

特别为硅基半导体光电子集成中的材料兼容

技术提供新的思路。实现无裂纹、高质量的

异质外延生长方法。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第1页

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第2页

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2009-12-30公开公开

2009-12-30公开公开

2010-02-24实质审查的生效实质审查的生效

2010-02-24实质审查的生效实质审查的生效

2011-01-12授权授权

2011-01-12授权授权

2018-07-31专利权的终止专利权的终止

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第2页

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第3页

权利要求说明书

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术的权利要求说明书内容是请下载后查看

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第3页

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第4页

说明书

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术的说明书内容是请下载后查看

一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术--第4页