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半包裹屏蔽层槽栅SiCMOSFET的机理与特性研究
摘要：
本文以半包裹屏蔽层槽栅（half-wrapshieldinglayergroovegate）的SiCMOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应管）为研究对象，探讨了其工作机理和性能特点。文章从结构设计与材料属性出发，深入分析了其工作原理，并对其在电力电子系统中的应用进行了探讨。
一、引言
随着电力电子技术的快速发展，SiC材料因其优异的物理和电气性能，在电力电子器件中得到了广泛应用。其中，SiCMOSFET以其高效率、低功耗等优势在高压大电流的电力转换场合表现出巨大潜力。本文着重研究了半包裹屏蔽层槽栅结构SiCMOSF
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