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一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN114429967A
(43)申请公布日2022.05.03
(21)申请号CN202210089178.2
(22)申请日2022.01.25
(71)申请人上海积塔半导体有限公司
地址201306上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
(72)发明人刘金营
(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人卢炳琼
(51)Int.CI
H01L27/22
H01L43/08
H01L43/10
H01L43/12
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种垂直自旋转移矩磁性随机存储
器及其制备方法
(57)摘要
本发明提供一种垂直自旋转移矩磁
性随机存储器及其制备方法，包括衬底、
固定铁磁层复合结构、沟槽、绝缘隧穿势
垒层、自由铁磁层、中间金属连接结构及
一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法--第1页
一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法--第2页
外围金属连接结构；固定铁磁层复合结构
位于衬底上，包括交替排布的绝缘层及固
定铁磁层；沟槽贯穿固定铁磁层；绝缘隧
穿势垒层及自由铁磁层依次位于沟槽内；
中间金属连接结构位于沟槽内且覆盖自由
铁磁层；外围金属连接结构位于固定铁磁
层复合结构中与固定铁磁层相接触且对应
设置。本发明垂直自旋转移矩磁性随机存
储器由STT‑MRAM在竖向上堆叠组合，
在相同占地面积下，可存储双倍或更多倍
的信息，可提高存储器件的存储密度，且
可提高各层存储器“读”“写”的准确性。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
实质审查的生效IPC(主分
类):H01L27/22专利申请
2022-05-20实质审查的生效
号:2022100891782申请
日
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一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法--第3页
权利要求说明书
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说明书
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