一种铸造单晶高温合金籽晶切割制备的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN111216258A

(43)申请公布日2020.06.02

(21)申请号CN202010117875.5

(22)申请日2020.02.25

(71)申请人西北工业大学

地址710072陕西省西安市友谊西路127号

(72)发明人杨文超曲鹏飞刘林张军黄太文苏海军郭敏郭跃岭

(74)专利代理机构西北工业大学专利中心

代理人慕安荣

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种铸造单晶高温合金籽晶切割制

备的方法

(57)摘要

一种铸造单晶高温合金籽晶切割制

备的方法，基于单晶生长方向与晶体方向

存在严格对应关系，精确切割标定出一次

枝晶和二次枝晶的方向，依据枝晶方向构

建出标准的FCC晶体结构，能够切出单晶

试棒的(001)晶面，进而利用FCC晶体的晶

面夹角公式计算出目标晶面与(001)晶面的

夹角θ，并且根据FCC晶体结构的特性在

(001)晶面上标出目标晶面与(001)晶面的交

线，沿着交线切出与(001)晶面夹角为θ目

标晶面；垂直于目标晶面进行切割得到具

有目标取向的籽晶。本发明采用金相观察

和定向切割的方式能够直接在铸造单晶试

棒上切割出任意晶体取向的籽晶，具有使

用设备和操作步骤简单，切出的籽晶取向

偏差小于5°。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

著录事项变更IPC(主分类):B28D

5/04专利申请号:2020101178755

变更事项:发明人变更前:杨文超

2022-03-25著录事项变更

曲鹏飞刘林张军黄太文苏海军郭

敏郭跃岭变更后:杨文超屈鹏飞刘

林张军黄太文苏海军郭敏郭跃岭

2022-04-05授权发明专利权授予

权利要求说明书

1.一种铸造单晶高温合金籽晶切割制备的方法,其特征在于,具体过程是:

步骤1,做与二次枝晶方向平行的一次标记线:

对单晶试棒的一个端面进行表面处理,在该端面得到二次枝晶;在所述有二次枝晶的

单晶试棒端面划线作为一次标记线,该标记线平行于其中一个任意一个二次枝晶的

方向,并采用MST树图法或面积测量法测量得到各一次枝晶间距的平均值;

步骤2,切割单晶试棒:

沿所述单晶试棒的轴向切割单晶试棒,得到一次标定试件;对得到的一次标定试件进

行表面处理;

经过表面处理的切割面会出现一次枝晶干;测量所述单一一次枝晶干在该切割面上

暴露的平均长度,并且计算该平均长度与步骤1中测得的平均一次枝晶间距的比值;

若单一一次枝晶干在该纵剖面上暴露的平均长度与平均一次枝晶间距的比值大于

60,转到步骤3;

若单一一次枝晶干在该纵剖面上暴露的平均长度与平均一次枝晶间距的比值小于

60,则再次切割该单晶试棒,获得二次标定试件;对得到的二次标定试件进行表面处理;

步骤3,标定晶体取向:

在所述纵剖面划线作001方向标记线,并使该001方向标记线平行于一次枝晶方

向,该001方向标记线的方向即为单晶001方向;在纵剖面上继续划线

作001方向的垂线,该垂线为100方向标记线或010方向标记线或010方向标

记线;所述