高质量AlN薄膜的外延生长方法及缺陷研究.docx

高质量AlN薄膜的外延生长方法及缺陷研究

一、引言

随着微电子和光电子技术的快速发展，AlN薄膜因其优异的物理和化学性质，在高性能电子器件、光电器件等领域的应用越来越广泛。然而，AlN薄膜的外延生长过程中存在诸多挑战，如生长过程中的缺陷控制、薄膜的均匀性和稳定性等。因此，研究高质量AlN薄膜的外延生长方法及缺陷，对于推动其应用发展具有重要意义。

二、AlN薄膜的外延生长方法

（一）物理气相沉积法（PVD）

物理气相沉积法是一种常用的AlN薄膜外延生长方法。该方法通过在高温下蒸发Al和N的化合物，使其在基底上形成AlN薄膜。该方法具有生长速度快、薄膜质量高等优点，但需要较高的设备成本和复杂的操作