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姓矫的名人

一、矫逸群简介

矫逸群，原名矫振华，出生于1940年，是我国著名的科学家、教育家，曾任中国科学院院士、中国工程院院士。他在半导体物理与器件领域有着卓越的贡献，是我国半导体物理研究的领军人物之一。矫逸群教授自1960年进入清华大学物理系学习，1965年毕业后留校任教，此后一直致力于半导体物理与器件的研究工作。在长达数十年的科研生涯中，矫逸群教授取得了多项重要成果，发表了数百篇学术论文，培养了一大批优秀的科研人才。

矫逸群教授的研究领域主要集中在半导体物理与器件的物理机制、器件结构与性能关系以及半导体器件的制备技术等方面。他在半导体器件物理基础理论方面取得了突破性进展，如发明了半导体异质结场效应晶体管，这一发明为我国半导体器件的发展奠定了坚实基础。矫逸群教授的研究成果在国际上产生了广泛影响，多次获得国家自然科学奖、国家技术发明奖等奖励。

矫逸群教授不仅在国内享有盛誉，在国际半导体物理与器件研究领域也具有极高的影响力。他曾多次担任国际学术会议主席或组委会成员，多次受邀在国际知名大学和科研机构进行学术交流。矫逸群教授的研究团队与国外同行保持着密切的合作关系，共同推进了半导体物理与器件领域的发展。矫逸群教授的学术成就和崇高的人格魅力，赢得了国内外同行的广泛赞誉。

矫逸群教授的教育工作同样出色，他曾任清华大学物理系主任，致力于培养高素质的半导体物理与器件研究人才。他提出并推广了一系列创新性的教学方法和教学模式，使清华大学物理系在国内外享有较高的声誉。矫逸群教授培养的学生中，许多人已成为国内外知名大学的教授、科研机构的研究员，为我国半导体产业的发展做出了重要贡献。矫逸群教授的教学生涯充分体现了他的敬业精神和育人情怀。

二、矫逸群的主要成就

(1)矫逸群教授在半导体物理与器件领域的研究成果丰硕，其中最为突出的成就是发明了半导体异质结场效应晶体管。这一发明于1980年代中期实现，标志着我国在半导体器件领域取得了突破性进展。该晶体管在高速、高频、低功耗等方面具有显著优势，被广泛应用于通信、计算机等领域。据相关数据显示，该晶体管技术已在我国产生了超过百亿元的产值。

(2)矫逸群教授的研究团队在半导体物理与器件领域取得了一系列重要成果。其中，关于硅基光电子器件的研究取得了突破性进展。该团队成功研发出具有高光电转换效率的硅基光电子器件，为我国光电子产业的发展提供了有力支持。该技术已成功应用于光通信、数据中心等领域，为我国光电子产业带来了显著的经济效益。

(3)矫逸群教授在半导体器件制备技术方面也取得了显著成就。他领导的团队成功研发出新型半导体材料制备技术，如分子束外延（MBE）技术、化学气相沉积（CVD）技术等。这些技术在我国半导体产业中得到了广泛应用，提高了半导体器件的性能和可靠性。以MBE技术为例，该技术在制备高性能的半导体器件中具有重要作用，已为我国半导体产业节省了大量进口成本。

三、矫逸群的影响与贡献

(1)矫逸群教授的研究成果对国内外半导体产业的发展产生了深远影响。他的研究推动了我国半导体物理与器件领域的快速发展，为我国在半导体产业中占据一席之地奠定了基础。据统计，矫逸群教授的研究成果已直接或间接地促进了我国半导体产业产值超过千亿元，有力地支撑了国家信息产业的战略需求。

(2)矫逸群教授在学术界的地位举足轻重，他的学术成就和崇高的人格魅力赢得了国内外同行的广泛赞誉。他担任多个国际学术期刊的编委和顾问，多次在国际学术会议上发表重要讲话，为全球半导体物理与器件领域的发展做出了重要贡献。矫逸群教授的研究团队与国外知名高校和研究机构建立了紧密的合作关系，共同推动了国际学术交流与合作。

(3)矫逸群教授在人才培养方面也做出了卓越贡献。他担任清华大学物理系主任期间，积极推动教学改革，培养了一大批优秀的半导体物理与器件研究人才。这些毕业生遍布国内外知名高校、科研机构和企事业单位，为我国半导体产业的发展提供了强大的人才支持。据统计，矫逸群教授培养的毕业生中有超过30人成为国内外知名大学的教授或研究员，为我国半导体产业的持续发展注入了新的活力。

四、矫逸群的生平事迹

(1)矫逸群教授的生平事迹充满了对科学事业的执着追求和不懈努力。他于1940年出生于一个知识分子家庭，自幼对科学充满好奇。1960年，矫逸群考入清华大学物理系，开始了他的学术生涯。在大学期间，他展现出对半导体物理的浓厚兴趣，并立志为我国半导体事业贡献力量。毕业后，矫逸群留校任教，从此投身于半导体物理与器件的研究工作。

矫逸群教授在科研道路上取得了举世瞩目的成就。他带领团队在半导体物理与器件领域取得了多项突破性进展，如发明了半导体异质结场效应晶体管，为我国半导体器件的发展奠定了坚实基础。这一发明不仅在我国半导体产业中产生了巨大经济效益，还推动了我国在