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spectra=csvread(C:\DocumentsandSettings\Administrator\桌面\bb1.csv,100,0,[100,0,1600,1]);%将AM1.5光谱赋
给矩阵spectra波长范围从0.38微米到1.88微米,一共1501个点
q=1.6*10^(-19);
emmiter1=100*10^(-7);%设定GaInP极厚度单位为cm
base1=300000*10^(-7);%设定GaInP基区厚度单位为cm
Nd1=2*10^18;%顶电池n型区掺杂
Na1=1*10^17;%顶电池p型区掺杂
Eg1=1.4:0.01:2;%GaInP改变不同的In组分的禁带宽度i控制61个点
sp1=10^4;%空穴表面复合速度
sn1=10^4;%电子在被表面复合速度,即在与下一结电池接触处的复合状况假设为0
B1=7.5*10^(-10);%辐射复合系数
Nc1=6.5*10^17;
Nv1=1.45*10^19;
ni1=(Nc1*Nv1*exp(-Eg1/0.026)).^0.5;%本证载流子浓度
voltage1=0.026*log((Na1*Nd1)./(ni1).^2);%内建电势61个点
width1=Widths(Nd1,Na1,ni1);%顶电池耗尽区宽度
xn1=nWidths(Nd1,Na1,ni1);
xp1=PWidths(Nd1,Na1,ni1);
tp1=1/(B1*Nd1+10^5);%n型区少子空穴
tn1=1/(B1*Na1+10^5);%p型区少子电子
ab1;%顶电池GaInP吸收系数
emmiter2=100*10^(-7);%设定InGaAs极厚度单位为cm
base2=300000*10^(-7);%设定InGaAs基区厚度单位为cm
Nd2=2*10^18;%顶电池n型区掺杂
Na2=1*10^17;%顶电池p型区掺杂
Eg2=0.7:0.01:1.44;%GaInAs改变不同的In组分的禁带宽度j控制75个点
sp2=10^4;%空穴在上表面复合速度即与GaInP接触认为0
sn2=10^4;%电子在背表面复合速度,即在与衬底接触处的复合状况假设为0
B2=7.5*10^(-10);%GaInAs辐射复合系数
Nc2=4.7*10^17;
Nv2=9*10^18;
ni2=(Nc2*Nv2*exp(-Eg2/0.026)).^0.5;%GaInAs本证载流子浓度75个点
voltage2=0.026*log((Na2*Nd2)./(ni2).^2);%GaInAs内建电势
width2=Widths(Nd2,Na2,ni2);%GaInAs电池耗尽区宽度
xn2=nWidths(Nd2,Na2,ni2);
xp2=PWidths(Nd2,Na2,ni2);
tp2=1/(B2*Nd2+10^5);%GaInAsn型区少子空穴
tn2=1/(B2*Na2+10^5);%GaInAsp型区少子电子
ab2;%GaInAs吸收系数
currentsc1;%调用短路电流M文件来计算2结电池区、基区、空间电荷区的短路电流密度
multitwo;
Command3.m
clear
spectra=csvread(C:\DocumentsandSettings\Administrator\桌面\bb1.csv,100,0,[100,0,1600,1]);%将AM1.5光谱赋
给矩阵spectra波长范围从0.38微米到1.88微米,一共1501个点
q=1.6*10^(-19);
emmiter1=100*10^(-
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