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计算机硬件技术基础內部記憶體5.1存儲系統概述存儲系統是電腦的重要組成部分,用來存儲電腦工作需要的資訊（程式和數據）的部件，構成電腦的資訊記憶功能。記憶體可分為兩大類：內部記憶體和外部記憶體內部記憶體↑外部記憶體↓微機存儲系統的層次結構電腦硬體技術基礎5.2內部記憶體的作用及其分類內記憶體均為半導體記憶體，外存儲器有磁性記憶體、光記憶體和半導體記憶體三種。5.2.1記憶體的主要作用記憶體的作用： 運行程式；暫存常用的程式、數據；與外存儲器、外設交換數據的緩衝存儲。中央處理器數據傳輸速度慢數據傳輸速度快內記憶體通過匯流排通過介面外存儲器電腦硬體技術基礎半導體存儲器隨機記憶體(RAM:RandomAccessMemory)只讀記憶體(ROM:ReadOnlyMemory)閃爍記憶體(FlashMemory)動態記憶體(DRAM)靜態記憶體(SRAM)可擦除可編程只讀記憶體(EPROM)電可擦除可編程只讀記憶體(EEPROM)可編程只讀記憶體(PROM)DRAM:DynamicRAMSRAM:StaticRAMPROM:ProgrammableROMEPROM:ErasablePROMEEPROM:ElectricallyEPROM5.2.2記憶體的分類電腦硬體技術基礎5.2.3記憶體的主要技術指標存儲容量：記憶體可以容納的二進位資訊量稱為存儲容量。以位元組(B:Byte)為單位。1KB=210=1024B1MB=220=1024KB=1,048,576B1GB=230=1024MB=1,048,576KB=1,073,741,824B速度：讀取時間=記憶體從接收讀出命令到被讀出資訊穩定在MDR(MemoryDataRegister)的輸出端為止的時間，一般單位為ns(10-9秒)。DRAM晶片：一般為幾十ns。目前由DRAM晶片構成的記憶體條(模組)：突發傳送模式下讀寫速度可以達到2ns。如DDR400的極限速度為2.5ns。SRAM晶片：幾個~十幾ns。帶寬：(記憶體位數/8)X讀取速度峰值，單位為MB/s。電腦硬體技術基礎錯誤校驗：記憶體在讀寫過程中檢測和糾正錯誤的能力，常用的錯誤校驗方式有Parity、ECC和SPD奇偶校驗(Parity)：每個位元組增加一位，共9位，增加的一位由於奇校驗或偶校驗。只有檢錯能力。ECC(ErrorCheckingandCorrecting)，一般每64位增加8位。由於差錯控制。ECC的功能不但使記憶體具有數據檢錯能力，而且具備了數據糾錯功能。SPD(SerialPresenceDetect串行存在探測)：用1個小容量EEPROM晶片，記錄記憶體的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數資訊。當開機時PC的BIOS將自動讀取SPD中記錄的資訊，以完成正確的硬體參數設置(如外頻、讀取時間、及各種延時)。5.2.3記憶體的主要技術指標電腦硬體技術基礎5.3半導體記憶體的組成及工作原理5.3.1隨機記憶體RAMSRAM工作原理SRAM基本存儲電路單元：雙穩態觸發器QQRSQQRS與非門特性輸入輸出0010111011100/1QDck電腦硬體技術基礎D0~D70/1Q0D00/1Q1D10/1Q2D20/1Q3D30/1Q4D40/1Q5D50/1Q6D60/1Q7D7ck寄存器5.3半導體記憶體的組成及工作原理R/WE使能讀/寫R/WD0~D7E0E1E2E3存儲陣列電腦硬體技術基礎讀出：置選擇線為高電平，使T5和T6導通，從I/O線輸出原存的資訊。寫入：置選擇線為高電平，使T5和T6導通，寫入數據使I/O線呈相應電平。ABT1T2T3T4T5選擇線I/OI/OVccT6實際的CMOS雙穩態觸發器：T1和T2構成觸發器，T3和T4分別作為T1和T2的負載電阻。T1截止而T2導通時的狀態稱為“1”。相反的狀態稱為“0”。?5.3半導體記憶體的組成及工作原理電腦硬體技術基礎SRAM的晶片結構SRAM晶片：內部由存儲矩陣、地址解碼器、存儲控制邏輯和I/O緩衝器組成。地址解碼器．．．存儲陣列．．．雙向緩衝器．．．控制邏輯D0D1DN-1