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PECVD段工艺培训;2;工艺人员的主要职责;对PECVD的简单介绍;2、PECVD定义：

PECVD：PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition

的简称，即等离子体增强化学气相沉积。

与其他成膜方式如PVD、LPCVD相比，其优点有：

基本温度低、沉积速度快、成膜质量好、不易龟裂等。

;PECVD原理与作用;什么是等离子体？

等离子体是气体在一定条件下受到激发，发生电离，部分

外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组

成的一种形态，这种形态称为等离子态，也称为第四态。

;1、减反射;2、钝化;介绍两种PECVD设备;直接法：

样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分。直接法又可分

为管式PECVD和板式PECVD。

①管式PECVD:即使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为

加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。如德国的

Centrotherm、中国的48所、七星华创产的设备。

②板式PECVD:是将硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，放入一个金属的沉积

腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在两个极板之间的

交流电场的作用下气体电离，反应后在硅片表面形成SiN。这种设备目前主要是日本

岛津公司在生产。;间接法：

待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样

品或其支撑体也不是电极的一部分。

①微波法：使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域

之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气，产生SiNx分子沉积在样品表面。这

种设备目前的主要制造商为德国的RothRau公司。

②直流法：使用直流源激发等离子体，进一步离化氨气和硅烷气。样品

也不与等离子体接触。这种设备由荷兰的OTB公司生产。

;频率越高，均匀面积越小；

频率越低对于硅片表面的损伤较严重；

频率越低，离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝

化。;各种镀膜方式比较：;目前公司所用设备：;炉管内部工作原理;管式PECVD使用备件：石墨舟、推车，要求温度为450℃。;RothRau;线型微波等离子体产生原理;测试仪器：;常见问题及其处理方法;板式PECVD：

膜厚：膜厚偏大时，可增加带速或是降低微波功率；膜厚偏小时，降

低带速或是增加微波功率。

折射率：折射率偏大，降低SiH4和NH3的比例；折射率偏小，

增加SiH4和NH3的比例。

镀膜过程中若出现报警，通常会造成膜厚与折射率异常。;报警的处理：;板式PECVD：

板式PECVD的报警类型很多，操作不当、石墨板不符合要求以及设备

本身的故障都可能造成报警。

出现报警后，首先通知生产人员停止上料，对于前两种原因造成的报警，

只要改正操作方式、停止使用不符合要求的石墨板，再消警；遇到设备本身

的报警时，及时通知设备人员进行处理。

报警通常会造成部分硅片镀膜异常，对于异常片的处理可按照异常片处理

流程进行处理。;不同膜厚硅片颜色对比：;异常片处理流程;其他注意事项：;操作过程注意事项：

①上片之前首先观察上一工序传递过来的硅片的表面状况，遇

到外观异常的硅片及时通知上一工序的工艺人员。

②定时巡检生产人员的操作手法与工艺参数，遇到不符合SOP

，或是私自更改工艺参数的现象，及时向生产班组长反馈并督促改

正。;附件：;TheEnd;1、Geniusonlymeanshard-workingalloneslife.(Mendeleyer,RussianChemist)?天才只意味着终身不懈的努力。20.8.58.5.202011:0311:03:10Aug-2011:03

2、Ourdestinyoffersnotonlythecupofdespair,butthechaliceofopportunity.(RichardNixon,AmericanPresident)命运给予我们的不是失望之酒，而是机会之杯。二〇二〇年八月五日2020年8月5日星期三

3、Patienceisbitter,butitsfruitissweet.(JeanJacquesRousseau,Frenchthinker)忍耐是痛苦的，但它的果实是甜蜜的。11:038.5.202011:038.5.202011:0311:03:108.5.202011:038.5.2020

4、Allth