模拟电路课件半导体基础知识.ppt

3PN结V-I特性（伏安特性）表达式习惯:P(+),N(-)为参考方向PN结的伏安特性门坎电压(死区电压Vth)：导通、未导通的分界；导通条件：V＞Vth；(与材料有关,Si:0.5V,Ge:0.1V)导通后特征(Si)：0.6~0.8V,约0.7V左右(具体由实测或计算机仿真);截止条件:VVth;(对内电场克服不够)截止后特征:电流几乎为0。第37页,共41页，星期六，2024年，5月其中:PN结的伏安特性IS——反向饱和电流。反向截止的少子电流，越小越好，与温度变化有关VT——温度的电压当量常温下（T=300K）：vD——PN结外加电压可推知：PN结加正压，VD≈0.7V，PN结加反压，VD为负值，若比大几倍时,。可见,反向电流是个常数，不随外加反向电压的大小而变动。第38页,共41页，星期六，2024年，5月当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。4PN结的反向击穿1).PN结的反向击穿现象第39页,共41页，星期六，2024年，5月强电场将阻挡层内中性原子的价电子直接变为自由电子功率损耗?PN结温升高?本征激发加剧?反向电流更大?连锁反应反向电压增加?少子漂移加快?动能增加?碰撞电离?连锁反应2).击穿的物理本质（1）雪崩击穿：碰撞电离（2）齐纳击穿：场致激发（3）热击穿：PN结过热电击穿齐纳击穿：雪崩击穿：热击穿具有可逆性具有破坏性第40页,共41页，星期六，2024年，5月图1.1.10PN结的伏安特性正向特性：反向特性：u＜0时，i≈-Is击穿特性：＞U(BR)时，i↑小结:第41页,共41页，星期六，2024年，5月*****************************************************************0导言0.1电信号0.2电子信息系统0.3电子技术的课程体系第5页,共41页，星期六，2024年，5月0.1电信号温度波动曲线声音、图像、亮度、温度等等物理信息，都可以用信号波形来表示。电子系统处理的是电信号，它由相应的物理量通过传感器转换而得到。信号：信息的载体第6页,共41页，星期六，2024年，5月是研究电子器件、电子电路及其应用的电子技术模拟电子技术：数字电子技术：研究模拟信号研究数字信号模拟信号：在时间上和幅值上都是连续变化的信号数字信号：在时间上和幅值上都是离散的信号（模拟信号）（数字信号）（数值的变化总是发生在一系列离散的瞬间；电子技术：数值的大小及增减总是某一个最小单位的整数倍。）科学技术。返回第7页,共41页，星期六，2024年，5月温度传感（输入）信号放大信号滤波控制执行（输出）功率放大数模转换数字逻辑电路模数转换恒温装置模拟小信号电路数字电路非电子物理系统模拟大信号电路电子系统0.2电子信息系统返回第8页,共41页，星期六，2024年，5月0.3电子技术的课程体系模拟电子技术和数字电子技术是电子信息类各专业的重要的技术基础课程，对于继续学习有关专业课程有着重要的影响。理论基础：电路理论同步课程：数字电子技术后续课程：微机原理等返回第9页,共41页，星期六，2024年，5月1常用半导体器件1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3晶体三极管1.4场效应管1.5单结晶体管和晶闸管1.6集成电路中的元件第10页,共41页，星期六，2024年，5月本章要求掌握：二极管、三极管的外特性及主要参数的物理意义理解：PN结、二极管的单向导电性、稳压管的稳压作用及三极管的放大作用了解：二极管、三极管的选用原则第11页,共41页，星期六，2024年，5