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1.1半导体材料及导电特性
1.1半导体材料及导电特性
如：硅Si(Silicon)ρ=105Ω.cm
锗Ge(Germanium)ρ=4.7103Ω.cm
砷化镓GaAsρ=109Ω.cm
Si(114.1)和.1本G征e半(导3体2)因外
层都有4个价电子，由
于外层价电子受原子核
的束缚力小，许多物理
现象是由外层价电子数
决定，为了更方便研究
价电子的作用常把原子
核和内层电子看作一个
整体,称为惯性核。
因此（或）单晶体每个原子都从四周
当Si（或Ge）原子组成单晶体后，各SiGe
根据原子的理论：原子外层电子有8个才
原子之间有序、整齐的排列在一起，原子之间相邻原子得到4个价电子才能组成稳定状态。即
每一个价电子为相邻原子核所共有，每相邻两个
靠得很近，价电子不仅受本原子的作用，还要能处于稳定状态。
原子都共用一对价电子。形成共价键结构。
受相邻原子的作用，
在Si或Ge单晶体中，价电子处于束
Eg一般与半导体材料和温度T有关：缚状态，其能量较低，处于较低的能带称为
量子力学证明：原子中电子具有的能量价带。而自由电子处较高的能带称为导带。
0
由于价电子至少要获得的能量才能挣脱共
T=0k(-273.16c)时，T=300k（室温）Eg
价键的束缚成为自由电子，因此自由电子所
状态是离散的，量子化的，每一个能量状态占有的最低能级要比价电子可能占有的最高
Eg0(Si)=1.21evEg(Si)=1.12ev
能级高出Eg。于是Si（或Ge）晶体中的
对应于一个能级，一系列能级形成能带。
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