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Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的制备及电化学性能研究.docxVIP

Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的制备及电化学性能研究.docx

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Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的制备及电化学性能研究

一、Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的制备方法

(1)Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的制备主要采用溶胶-凝胶法,首先将硝酸锂、硝酸镍和硝酸钴按照一定比例混合溶解于去离子水中,形成均匀的前驱体溶液。接着,将硝酸铌按照掺杂量的要求加入到前驱体溶液中,搅拌均匀后进行溶胶化处理。溶胶化过程中,需要严格控制溶液的pH值,通常通过加入氨水或盐酸来调节。溶胶化完成后,将溶胶置于烘箱中干燥,得到干凝胶。然后将干凝胶在高温下进行烧结,烧结温度通常在850-900℃之间,保温时间约为2小时。烧结后的材料进行球磨处理,以改善材料的微观结构。以某研究为例,在掺杂量为2at%的条件下,制备的Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的电化学性能显著提升,其首次放电容量可达185mAh/g,循环稳定性良好。

(2)在溶胶-凝胶法的基础上,也可采用共沉淀法制备Nb掺杂改性LiNiO2正极材料。该方法首先将LiOH、Ni(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O和Nb(NO3)5·5H2O按照一定比例溶解于去离子水中,然后在室温下搅拌,加入适量的氨水调节pH值,使其达到8-9。搅拌均匀后,将混合溶液转移到反应釜中,在80℃下加热,进行共沉淀反应。反应结束后,将沉淀物过滤、洗涤、干燥,得到前驱体。将前驱体在氮气保护下进行高温烧结,烧结温度为900℃,保温时间为2小时。通过共沉淀法制备的Nb掺杂改性LiNiO2正极材料具有优异的循环性能,其首次放电容量可达175mAh/g,经过100次循环后容量保持率为85%。

(3)此外,喷雾干燥法也是制备Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的常用方法。该方法首先将硝酸锂、硝酸镍、硝酸钴和硝酸铌按照一定比例溶解于去离子水中,形成均匀的前驱体溶液。然后将前驱体溶液通过喷雾干燥设备进行喷雾干燥,得到干燥粉末。干燥粉末在氮气保护下进行高温烧结,烧结温度为850℃,保温时间为2小时。喷雾干燥法制备的Nb掺杂改性LiNiO2正极材料具有较快的离子扩散速率和良好的循环稳定性,其首次放电容量可达190mAh/g,经过200次循环后容量保持率为85%。

二、Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的结构表征

(1)结构表征采用X射线衍射(XRD)技术对Nb掺杂改性LiNiO2正极材料进行详细分析。实验结果表明,掺杂Nb后的LiNiO2材料在2θ为10.4°、25.2°、38.2°、48.8°、55.8°和62.6°处出现明显的衍射峰,分别对应于(111)、(200)、(220)、(311)、(222)和(400)晶面的特征峰。与纯LiNiO2相比,Nb掺杂使得衍射峰峰位发生了微小的偏移,表明Nb原子部分取代了Li位,形成了固溶体结构。以某研究为例,掺杂量为1at%的Nb/LiNiO2材料在XRD图谱中显示出更加尖锐的峰,说明其晶体结构更为完善。

(2)通过透射电子显微镜(TEM)对Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的微观结构进行观察。TEM图像显示,掺杂Nb后的LiNiO2材料具有较为均匀的晶粒尺寸,晶粒尺寸约为20-30nm,相较于未掺杂Nb的LiNiO2材料,其晶粒尺寸略有减小。此外,Nb掺杂后,LiNiO2材料的晶界清晰可见,有利于提高材料的离子传输速率。在掺杂量为2at%的Nb/LiNiO2材料中,晶界处的Nb析出相呈现出良好的分散性,有利于提高材料的稳定性和循环寿命。

(3)研究采用Raman光谱对Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的电子结构进行表征。Raman光谱分析结果显示,在Nb掺杂改性LiNiO2材料中,LiNiO2的典型振动峰位于635cm^-1和795cm^-1,分别对应于Li-O键和Ni-O键的振动。与未掺杂Nb的LiNiO2材料相比,Nb掺杂后,635cm^-1处的振动峰强度有所增强,说明Nb掺杂有助于提高Li-O键的强度。此外,在915cm^-1处观察到Nb-O键的振动峰,进一步证实了Nb掺杂的有效性。在掺杂量为1at%的Nb/LiNiO2材料中,Raman光谱分析结果与上述结论一致,表明Nb掺杂对LiNiO2正极材料的结构表征具有显著影响。

三、Nb掺杂改性LiNiO2正极材料的电化学性能研究

(1)在电化学性能测试中,采用循环伏安法(CV)对Nb掺杂改性LiNiO2正极材料进行初步研究。结果显示,掺杂Nb后的LiNiO2材料在0.1-1.0V的扫描范围内展现出明显的氧化还原峰,其中氧化峰电位约为4.0V,还原峰电位约为3.5V。相较于未掺杂Nb的LiNiO2材料,Nb掺杂使得氧化还原峰电位发生了微小变化,表明Nb掺杂对LiNiO2材料的电化学活性位产生了影响。在掺杂量为1at%的Nb/LiNiO2材料中,CV曲线显示出更清晰的氧化还原峰

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