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高纯硅制备的化学原理(1)

高纯硅的制备一般首先由硅石〔SiO2〕制得工业硅〔粗硅〕，再制成高纯的多晶硅，最终拉制成半导体材料硅单晶。

工业上是用硅石〔SiO2〕和焦炭以肯定比例混合，在电炉中加热至

1600~1800℃而制得纯度为95%~99%的粗硅，其反响如下：SiO2+2C=Si+2CO

粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质，这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在，为了进一步提高工业粗硅的纯度，可承受酸浸洗法，使杂质大局部溶解〔有少数的碳化硅不溶〕。其生产工艺过程是：将粗硅粉碎后，依次用盐酸、王水、〔HF+H2SO4〕混合酸处理，最终用蒸馏水洗至中性，烘干后可