原子层沉积培训PPT.pptx

原子层沉积培训;培训类容;;;;ALD设备示意图;;;;;;;;;;;ALD应用实例;CMOSHigh-kDielectrics;;;ALDLift-offTechnology;Applications:HighAspectRatio;NanotubeFormation;;;;;;;原子层沉积系统(AtomLayeredDeposition);开启氮气（液氮）阀门;;固态源气路;1.启用LoadLock;;;（3）页面3设置;;;3.放置样品

(1)首先Vent工艺氮气进入LoadLock，打开进样室盖子后将样品放在托盘上。给主腔室充气至一个大气压。点击CHANBERLID栏上的“OPEN”，将反应内腔升起。;(2)手动给LoadLock腔充气，当主腔室（已充气）和LoadLock之间的压强差小于10hPa时，

开始传递样品。按如下顺序进样：

;4.工艺前的准备工作;（3）在MANUAL菜单的（2）页面内设置工艺温度

TE2为样品台的设置温度

TE1max.为加热温度（一般比TE2高150℃）;温度稳定时间倒计时;;;8.关机;2.关闭氮气（液氮）和气体阀;一．进样流程

首先Vent工艺氮气打开进样室的盖子，将样品放置在托盘上，抽进样室真空，再充氮气至一个大气压。

再充主腔室氮气至1个大气压，在Actions界面(1)中ventreactor中点Start,开始充气，进Deposit界面观察Vent后气压变化

等到Diffpressuresp为15hPa后，点Actions界面内(1)点cancel终止充气。

开反应腔ChamberLID点OPEN(将反应腔的上盖打开，准备接受样品)

回到Loadlock界面Handyman中可以看到三个绿灯是亮的）

点Loadwafer,闸板阀打开，将传送杆手动拉到最左端，这时在主室可以看到样品已经传送至反应腔正下方，然后点Pickwafer,将样品放置到反应腔的托盘上。再把传送杆拉到原始位置，之后关闭闸板阀。

最后去Actions界面点CLOSE关闭反应腔。

点Actions界面的EvacuateReactor抽主腔室的真空，直到观察IMspace至10hPa左右。

;1.在MANUAL-（2）页内手动加热

TE2设置反应温度

TE1max设定加热电阻温度（比反应温度高150°C）

到Deposit页面看到左上方六个方框全绿时点START，(此时设备旁报警灯为绿色（之前为黄色）

2．点击LID关反应腔室的盖子，

SoftPumpdown.V2开（抽速慢）

MainPumpdown.V1开（抽速快）

3.Heating状态灯为亮，反应腔开始升温，直到预设温度。

4.这时一定要将源瓶打开（阀门开两圈即可）

5.TemperatureStabilization5min

看源瓶内是否有剩余

Actions页-(2)检测每个源的蒸发量，看脉冲???每次的量是否均匀

换瓶前手动开关阀门，直到每次的蒸发量脉冲稳定为止。

;三.卸载（Unload）;谢谢！