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不相干散射入射X射线遇到约束松的电子时,将电子撞至一方,成为反冲电子。入射线的能量对电子作功而消耗一部份后,剩余部份以X射线向外辐射。散射X射线的波长(λ‘)比入射x射线的波长(λ)长,其差值与角度α之间存在如右关系:不相干散射在衍射图相上成为连续的背底,其强度随(sinθ/λ)的增加而增大,在底片中心处(λ射线与底片相交处)强度最小,α越大,强度越大。第30页,共51页,星期六,2024年,5月小结相干散射因为是相干波所以可以干涉加强.只有相干散射才能产生衍射,所以相干散射是X射线衍射基础不相干散射因为不相干散射不能干涉加强产生衍射,所以不相干散射只是衍射的背底第31页,共51页,星期六,2024年,5月X射线的吸收物质对X射线的吸收,是指X射线通过物质时光子的能量变成了其他形式时能量。有时将X射线通过物质时造成的能量损失称为真吸收。X射线通过物质时产生的光电效应和俄歇效应,使入射X射线的能量变成光电子、俄歇电子和荧光X射线的能量,使X射线强度被衰减,是物质对X射线的真吸收过程。第32页,共51页,星期六,2024年,5月光电效应---光电子和荧光X射线第33页,共51页,星期六,2024年,5月光电效应1激发K系光电效应时,入射光子的能量必须等于或大于将K电子从K层移至无穷远时所作的功WK,即将激发限波长λK和激发电压VK联系起,即式中VK以V为单位。(1-4)式和(1-11)式形式上非常相似,但物理意义完全不同。前者说明连续谱的短波限λ0随管电压的增高而减小,而后者说明每种物质的K激发限波长都有它自己特定的值。从X射线激发光电效应的角度,称λK为激发限;然而,从X射线被物质吸收的角度,则称λK为吸收限。第34页,共51页,星期六,2024年,5月光电效应2-----俄歇效应俄歇(Auger,M.P.)在1925年发现,原子中K层的一个电子被打出后,它就处于K激发状态,其能量为EK。如果一个L层电子来填充这个空位,K电离就变成L电离,其能量由EK变成EL,此时将释放EK-EL的能量。释放出的能量,可能产生荧光X射线,也可能给予L层的电子,使其脱离原子产生二次电离。即K层的一个空位被L层的两个空位所代替,这种现象称俄歇效应.从L层跳出原子的电子称KLL俄歇电子。每种原子的俄歇电子均具有一定的能量,测定俄歇电子的能量,即可确定该种原子的种类,所以,可以利用俄歇电子能谱作元素的成分分析。不过,俄歇电子的能量很低,一般为几百eV,其平均自由程非常短,人们能够检测到的只是表面两三个原子层发出的俄歇电子,因此,俄歇谱仪是研究物质表面微区成分的有力工具。第35页,共51页,星期六,2024年,5月光电效应2-----俄歇效应第36页,共51页,星期六,2024年,5月光电效应小结光电子被X射线击出壳层的电子即光电子,它带有壳层的特征能量,所以可用来进行成分分析(XPS)俄歇电子高能级的电子回跳,多余能量将同能级的另一个电子送出去,这个被送出去的电子就是俄歇电子带有壳层的特征能量(AES)二次荧光高能级的电子回跳,多余能量以X射线形式发出.这个二次X射线就是二次荧光也称荧光辐射同样带有壳层的特征能量第37页,共51页,星期六,2024年,5月小结散射散射无能量损失或损失相对较小相干散射是X射线衍射基础,只有相干散射才能产生衍射.散射是进行材料晶体结构分析的工具吸收吸收是能量的大幅度转换,多数在原子壳层上进行,从而带有壳层的特征能量,因此是揭示材料成分的因素吸收是进行材料成分分析的工具可以在分析成分的同时告诉你元素价态第38页,共51页,星期六,2024年,5月一束强度为I0的X射线束,通过厚度为H的物体后,强度被衰减为IH。为了得到强度的衰减规律,现取离表面为x的一薄层dx进行分析。设X射线束穿过厚度为X的物体后,强度波衷减为,而穿过厚度为x+dx的物质后的强度为I-dI,则通过dx厚的一层引起的强度衰减为dI。实验证明,X射线透过物质时引起的强度衰减与所通过的距离成正比X射线的衰减规律第39页,共51页,星期六,2024年,5月X射线的衰减规律对(1-12)式积分求出强度为I0的X射线从物体表面(即x=0)穿透厚度H后的强度IH:IH=I0exp(-μH)式中IH/I0称穿透系数,而μ为线衰减系数。(1-13)式是X射线透视学的基本公式。线衰减系数μ=-1n(IH/I0)/H表示单位体积物质对X射线的衰减程度,它与物质的密度ρ成正比,即与物质的存在状态有关。现将(1-13)式改写成:IH=I0e-(μ/ρ)ρH=I0e-μmρH式中μm=μ/ρ称质量衷减系
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