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实验七测量三极管的直流放大特性和击穿特性

一、实验目的

1．学习晶体管特性图示仪的使用；

2、测量晶体管的输入和输出特性曲线；

3．测量晶体管的直流放大系数值；

4、测量晶体管的BVCEO，BVEBO和BVCBO。

二、实验原理

1.输入和输出特性曲线

图1（1）共基极的输入和输出特性曲线（2）共发射极的输入和输出特性曲线

2.双极晶体管的电流放大作用

当晶体管处于有源放大区（发射结正偏，集电结反偏）时，其电流的组成为：

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图2放大模式偏置下PNPBJT中的扩散电流

IE=IEp+IEn正向注入的空穴电流和电子电流

IC=ICp+ICn反向饱和漏电流ICBO和从发射结注入基区又到

达

集电结的空穴所形成的电流Icp

IB=IE-IC=IB1+IB2+IB3(IB1=IEn,IB3=ICn,IB2是流入基区与发射区

注入的空穴复合而损失的电子流。)

我们定义共基极直流电流增益：

总是小于1（应尽量接近1）。

。

定义共射极直流电流增益：

（越大表明电流传输过程中的损失越小）

。

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测量值

由共射极输出特性曲线

图3共射极输出特性曲线

随着增加，集电极电流按的规律增加

3、晶体管的击穿特性

（1）共射极时的击穿和

对共射极接法的有源放大区中，集电极电流为

图4共发射极电路

当发生雪崩倍增效应时，IC变成：

(M为倍增因子)

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上式中，表示发生雪崩倍增后的电流增益，

表示发生雪崩倍增后的穿透电流。

这时，定义：将基极开路，使时的称为集电极与发射极之间的击穿

电压，记为。其测试电路如图所示。

图5BVCEO击穿特性测试图

在测量时，经常出现如图所示的负阻现象，即当增大到发生击穿后，

电流上升，电压却反而下降，此时为维持电压。这是由于与击穿条件（倍增银

子M）在小电流下较大，而导致击穿电压高；而电流增大后，M减小，击穿电

压也下降到正常值。击穿时的输出特性曲线如图。

图6C-E间的击穿特性

（2）E-B结的击穿和