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半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案(一)一、选择题

1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体

以(A)导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该

半导体以(E)导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓

度，则该半导体以(C)导电为主。

A、本征B、受主C、空穴D、施主E、电子

2、受主杂质电离后向半导体提供(B)，施主杂质电离

后向半导体提供(C)，本征激发向半导体提供(A)。

A、电子和空穴B、空穴C、电子

3、电子是带(B)电的(E);空穴是带(A)电的(D)粒子。

A、正B、负C、零D、准粒子E、粒子

4、当Au掺入Si中时，它是(B)能级，在半导体中起

的是(D)的作用;当B掺入Si中时，它是(C)能级，在半导体

中起的是(A)的作用。

A、受主B、深C、浅D、复合中心E、陷阱

5、MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材

料的类型(A)。

A、相同B、不同C、无关

6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当

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温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概

率的变化分别是(B)。

A、变大，变小;B、变小，变大;C、变小，变小;D、变

大，变大。

7、砷有效的陷阱中心位置(B)

A、靠近禁带中央B、靠近费米能级

8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子

占据的概率为(D)，当温度大于热力学温度零度时，能量比

EF小的量子态被电子占据的概率为(A)。

A、大于1/2B、小于1/2C、等于1/2D、等于1E、

等于0

9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，

AB段代表(A)，CD段代表(B)。

A、多子积累B、多子耗尽

C、少子反型D、平带状态

10、金属和半导体接触分为：(B)。

A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触

B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触

D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载

流子，若光照忽然停止t??后，其中非平衡载流子将衰减为

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原来的(A)。

A、1/eB、1/2C、0D、2/e

12、载流子在电场作用下的运动为(A)，由于浓度差引

起的运动为(B)。

A、漂移运动B、扩散运动C、热运动

13、锗的晶格结构和能带结构分别是(C)。

A、金刚石型和直接禁带型B、闪锌矿型和直接禁带

型

C、金刚石型和间接禁带型D、闪锌矿型和间接禁带

型

14、非简并半导体是指(A)的半导体。