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光刻工艺资料整理--第1页
光刻工艺资料整理
光刻工艺资料整理
上一篇/下一篇2007-12-1020:10:25/个人分类：光刻
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光刻工艺资料整理
概述：光刻技术是集成电路的关键技术之一，在整个产品制造中
是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％。光刻
也是决定集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻
技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。
所以说光刻系统的先进程度也就决定了光刻工程的高低。
1.光刻工艺简介
光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工
艺。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜，被除去的部
分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。光刻工艺也被称为大
家熟知的Photomasking,masking,photolithography,或
microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电
容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部
件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，
通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻生产的
目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆
表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。
光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺
寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对
器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻
工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是
在难以置信的微小尺寸下完成。在制程中的污染物会造成缺陷。事实
上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问
题将会放大。
光刻工艺过程包括有：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、
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去胶等。
课程内容：
1光刻前的准备工作
1.1准备要求
1.2准备方法
1.2.1光刻前待光刻片子置于干燥塔中
1.2.2氧化片出炉后可立即送光刻工序涂胶
1.2.3对氧化片可在涂胶前重吹段时间干氧（氧化温度）
1.2.4涂胶前片子置于80度烘箱中烘30分钟
2涂胶
2.1涂胶的要求
2.2涂胶的方法
2.2.1旋转涂胶法
2.2.2喷涂法
2.2.3浸涂法
3前烘
3.1前烘要求
3.2前烘的方法
3.2.1在80度烘箱中烘15分钟-20分钟
3.2.2在红外烘箱中烘3分钟-5分钟
4曝光
4.1曝光的要求
4.2曝光的方法
5显影
5.1显影的要求
5.2显影的方法
6坚膜
6.1坚膜的要求
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