晶体管的频率响应.ppt

6.电容耦合共基放大电路电路图高频等效电路第69页,共97页，星期六，2024年，5月6.电容耦合共基放大电路电路特点：①若忽略的影响，则不存在密勒倍增效应，其中，比共射接法小得多，且共基输入电阻小，故输入回路时间常数小；②若考虑负载电容的影响，则由于共基电路和共射电路的输出电阻相同，所以输出回路时间常数也相同，因此由负载电容所引起的上限频率相同。第70页,共97页，星期六，2024年，5月7.组合电路相对于共射放大电路而言，为了展宽放大器的通频带，可以采用组合电路的方式。主要有两种方式：共射－共基电路,共射－共集电路。（1）CE-CB电路1.共基电路的输入电阻很小，第一级密勒电容大大减小，从而使共射电路的上限频率大大提高。2.两级级联后的上限频率取决于第一级共射电路的上限频率。第71页,共97页，星期六，2024年，5月7.组合电路（2）CE-CC电路适用于容性负载；对于容性负载的共射放大器的上限频率很低，但如果容性负载作为共集放大器的负载，则由于其输出电阻很小，的影响将大大减小；两级级联后的上限频率取决于第一级共射电路(无）的上限频率。第72页,共97页，星期六，2024年，5月3.2.3晶体管的高频参数低频时，β是一个实数，但随着频率的升高，β将是个复数，并且β的模值会随频率的升高而下降。定义：当β的模值下降到低频数值的0.707倍时的频率，称为晶体管共射截止频率，记为1.共射截止频率根据定义，需要求出高频时β和频率之间的关系式。根据β的定义（共射短路电流放大系数），其等效电路如下第73页,共97页，星期六，2024年，5月1．共射截止频率由β的模值可看出：第74页,共97页，星期六，2024年，5月2．特征频率定义：显见，特征频率远大于共射截止频率。第75页,共97页，星期六，2024年，5月3．共基截止频率利用α和β的关系，可以得到为了保证实际电路在高频时仍有较大的电流放大系数，必须选择晶体管的特征频率为第76页,共97页，星期六，2024年，5月3.2.4场效应管放大器的频率响应1.场效应管的高频等效电路：类似于晶体三极管的高频等效电路，需要考虑场效应管极间电容的影响。（1）JFET高频等效电路（2）MOSFET高频等效电路（3）MOSFET高频等效电路(衬源短路）第77页,共97页，星期六，2024年，5月例3-13一JFET放大器如下图所示。已知IDSS=8mA，UGS(off)=-4Vrds=20kΩ,Cgd=1.5pF,Cds=5.5pF，试计算Aum、fL以及fH，并画出渐近线波特图。分析：计算中频电压放大倍数需要求出跨导gm,因此需要做静态分析；计算下限频率需要低频等效电路，并找到有电容的回路，计算该回路的时间常数；计算上限频率需要高频等效电路，并找到有电容的回路，计算该回路的时间常数。3.2.4场效应管放大器的频率响应第78页,共97页，星期六，2024年，5月解（1）静态分析由JFET的特性和电路图可得：（2）中频电压放大倍数3.2.4场效应管放大器的频率响应第79页,共97页，星期六，2024年，5月（3）下限频率低频等效电路有电容的回路是输出回路，计算出该回路的时间常数，下限角频率就是时间常数的倒数。在低频区，极间电容可看为开路，耦合电容不能再视为短路，必须予以考虑，但在本题中，→∞，因此只考虑。3.2.4场效应管放大器的频率响应第80页,共97页，星期六，2024年，5月在高频区等效电路中，Cgd将输出回路和输入回路连在一起，增加了分析难度，因此要用密勒定理对其进行单向化。（3）上限频率由于输入为恒压源，所以输入回路的时间常数为零，即对高频特性没有影响，故只考虑输出回路时间常数。3.2.4场效应管放大器的频率响应第81页,共97页，星期六，2024年，5月3.2.4场效应管放大器的频率响应（4）幅频特性和相频特性曲线第82页,共97页，星期六，2024年，5月3.3多级放大器的频率响应3.3.1幅频特性和相频特性3.3.2多级放大器的通频带第83页,共97页，星期六，2024年，5月3.3.1幅频特性和相频特性（1）多级放大器框图（2）多级放大器幅频特性多级放大器的放大倍数是各级放大倍数的乘积所以，其幅频特性为：第84页,共97页，星期六，2024年，5月3.3.1幅频特性和相频