模电半导体基础知识.ppt

iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E两电极取出。输入特性曲线——iB=f(vBE)?vCE=const输出特性曲线——iC=f(vCE)?iB=const本节介绍三极管的特性曲线，即三双极型半导体三极管的特性曲线IEIBRBUBICUCCRC＋--＋UBEUCE第69页,共91页，星期六，2024年，5月1.输入特性曲线IB=f(UBE)UCE=常数IEIBRBUBICUCCRC＋--＋UBEUCE第70页,共91页，星期六，2024年，5月UCE?1VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。输入特性曲线IB=f(UBE)UCE=常数第71页,共91页，星期六，2024年，5月2、输出特性特性曲线IC=g(UCE)|IB=常数IEIBRBUBICUCCRC＋--＋UBEUCE第72页,共91页，星期六，2024年，5月输出特性曲线IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。IC=g(UCE)|IB=常数第73页,共91页，星期六，2024年，5月IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。第74页,共91页，星期六，2024年，5月IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死区电压，称为截止区。第75页,共91页，星期六，2024年，5月输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=?IB,且?IC=??IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCE?UBE，?IBIC，UCE?0.3V(3)截止区：UBE死区电压，IB=0，IC=ICEO?0返回第76页,共91页，星期六，2024年，5月四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和?第77页,共91页，星期六，2024年，5月例：UCE=6V时：IB=40?A,IC=1.5mA；IB=60?A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：?=第78页,共91页，星期六，2024年，5月2.集-基极反向截止电流ICBO?AICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。第79页,共91页，星期六，2024年，5月BECNNPICBOICEO=?IBE+ICBOIBE?IBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。第80页,共91页，星期六，2024年，5月4.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的功率为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC有限制。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区第81页,共91页，星期六，2024年，5月五、温度对晶体管特性及参数的影响

3、温度对输出特性的影响1、温度对ICBO的影响2、温度对输入特性的影响