江苏省四大名校G4苏州中学校等学校2025年高三上学期12月联考化学试题（含答案）.docVIP

2025年

江苏省四大名校G4苏州中学校等学校2024-2025学年高三上学期12月联考

化学试题

(满分：100分考试时间：75分钟)

2024．12

可能用到的相对原子质量：H—1N—14O—16Co—59

一、单项选择题：本题共13小题，每小题3分，共39分。每小题只有一个选项最符合题意。

1.我国北斗系统组网成功，北斗芯片中的半导体材料为硅。硅在元素周期表中属于()

A.s区B.p区C.d区D.ds区

2.反应11P4＋60CuSO4＋96H2O===20Cu3P＋24H3PO4＋60H2SO4可用于处理不慎沾到皮肤上的白磷。下列说法正确的是()

A.P4分子中的键角为109°28′B.S2－的结构示意图为

C.H2O的空间构型为V形D.基态Cu2＋的价层电子排布式为3d84s1

3.碳酸氢铵是一种常用氮肥，其制备原理为CO2＋H2O＋NH3===NH4HCO3。下列相关原理、装置及操作正确的是()

阅读下列材料，回答4～6题。

元素周期表中ⅢA族元素(5B、13Al、31Ga、49In等)的单质及其化合物应用广泛。BF3极易水解，生成HBF4(HBF4是一种强酸)和硼酸(H3BO3)。高温下Al2O3和过量焦炭在氯气的氛围中获得AlCl3。已知Ga与Al的性质相似，Ga微量分散于铝土矿中，在一定条件下Ga和NH3可以制得GaN。GaN誉为第三代半导体材料，具有硬度大、熔点高的特点。已知GaN成键结构与金刚石相似，其晶胞结构如下图。已知：GaN、GaP、GaAs的熔点高，且熔融状态均不导电。

4.下列化学反应表示正确的是()

A.Ga和NH3合成氮化镓：Ga＋2NH3===GaN＋3H2

B.BF3水解的离子方程式：4BF3＋3H2O===3HBF4＋H3BO3

C.制备AlCl3时发生的反应：2Al2O3＋3C＋6Cl2eq\o(=====,\s\up7(高温))4AlCl3＋3CO2

D.Ga与NaOH溶液反应的化学方程式：2Ga＋2NaOH＋6H2O===

2Na[Ga(OH)4]＋3H2↑

5.下列说法不正确是()

A.熔点：GaNGaPGaAs

B.GaN为共价晶体

C.GaN晶体中所有原子均采取sp3杂化

D.与N原子相连的Ga原子构成的空间构型为正四面体形

6.催化剂GaN可催化CO2直接加氢制二甲醚。在GaN(110)界面上的部分反应历程如图，其反应为CO2(g)＋H2(g)―→HCOO*＋H*，在GaN(100)界面上发生的反应为CO2(g)＋4H2(g)―→CHeq\o\al(*,3)＋H*＋2H2O(g)，下列说法不正确的是()

A.制二甲醚的总反应式为2CO2(g)＋6H2(g)===CH3OCH3(g)＋3H2O(g)

B.二甲醚中元素电负性：χ(O)χ(C)χ(H)

C.图示的反应历程中，决速步骤为Heq\o\al(*,2)→2H*

D.催化剂的不同界面可以改变反应的路径

7.在给定条件下，下列制备过程涉及的物质转化不可以实现的是()

A.侯氏制碱法：饱和NaCl(aq)eq\o(――→,\s\up7(NH3，CO2))NaHCO3(s)eq\o(――→,\s\up7(加热))Na2CO3(s)

B.工业制硝酸：NH3eq\o(――→,\s\up7(O2，催化剂),\s\do5(△))NO2eq\o(――→,\s\up7(H2O))HNO3

C.工业制硫酸：黄铁矿FeS2eq\o(――→,\s\up7(空气),\s\do5(燃烧))SO2eq\o(――→,\s\up7(空气，催化剂),\s\do5(400～500℃))SO3eq\o(――→,\s\up7(98.3%的浓硫酸吸收))H2SO4

D.工业制高纯硅：SiO2eq\o(――→,\s\up7(C),\s\do5(高温))Si(粗)eq\o(――→,\s\up7(300℃),\s\do5(HCl))SiHCl3eq\o(――→,\s\up7(1100℃),\s\do5(过量H2))Si

8.新型催化剂RuO2可催化O2氧化HCl获得Cl2：4HCl(g)＋O2(g)?2Cl2(g)＋2H2O(g)；ΔH＝akJ·mol－1。下列说法正确的是()

A.该反应ΔS0

B.4molHCl与1molO2反应转移电子数约为4×6.02×1023

C.反应的平衡常数为K＝eq\f(c2（Cl2）,c4（HCl）×c（O2）)

D.使用催化剂能降低该反应的ΔH

9.中国科学家设