场效应管放大电路.ppt

可增加1个双端口模型，表达要解决的问题（此模型代入P7－结构中）此动画可不要！*4场效应管放大电路4.1结型场效应管4.3金属-氧化物-半导体场效应管4.4场效应管放大电路4.5各种放大器件电路性能比较*4.2砷化镓金属-半导体场效应管类比：与BJT放大电路自学（归纳、比较）MOS管，简单介绍掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点√√?*多级放大电路输入级—Ri?中间放大级—AV?输出级—Ro?共集、共射共射、共基共集第4章场效应管第6.2节差分放大电路2个信号相减第5章功率放大电路直接耦合零漂Ri?RL特别小第6.1节电流源第6章集成运算放大器性能改善第7章反馈技术、方法第8、9、10章运算放大器应用各种功能电路*已知图示放大电路中三极管的?=60，rbe=3k?。若电容C3断开，求Ri接上C3后，求Ri。分析举例*引言4场效应管放大电路1、问题的引出2、分类进一步提高Ri，但BJT的Je正偏，rbe较小FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）*4.1结型场效应管01?结构02?工作原理03?输出特性04?转移特性05?主要参数064.1.1JFET的结构和工作原理074.1.2JFET的特性曲线及参数*4.1.1JFET的结构和工作原理结构*4.1.1JFET的结构和工作原理1.结构N型导电沟道漏极D(d)源极S(s)沟道电阻——长度、宽度、掺杂P+P+反偏的PN结——反偏电压控制耗尽层结构特点:空间电荷区（耗尽层）栅极G(g)*4.1.1JFET的结构和工作原理2.工作原理①VGS对沟道的控制作用②VDS对沟道的影响?VGS=0?VGS＜0(反偏)?VGS=VP?耗尽层加厚|VGS|增加?沟道变窄?沟道电阻增大全夹断（夹断电压）*4.1.1JFET的结构和工作原理2.工作原理②VDS对沟道的影响?VDS??ID?GD间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,呈楔形分布。?VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。?VDS??夹断区延长,但ID基本不变*2.工作原理VGS和VDS同时作用时*4.1.1JFET的结构和工作原理#为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？综上分析可知沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。*4.1.2JFET的特性曲线及参数#JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？2.转移特性VP1.输出特性*4.1.2JFET的特性曲线及参数3.主要参数①夹断电压VP(或VGS(off))：②饱和漏极电流IDSS：漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。③直流输入电阻RGS：结型FET，反偏时RGS约大于107Ω。⑤最大漏极功耗PDM④最大漏源电压V(BR)DS；最大栅源电压V(BR)GS⑦输出电阻rd：⑥低频跨导gm：或低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。*4.3金属-氧化物-半导体场效应管FET场效应管添加标题N沟道添加标题P沟道添加标题（耗尽型）添加标题JFET结型添加标题MOSFET绝缘栅型添加标题N沟道添加标题P沟道添加标题增强型添加标题耗尽型添加标题N沟道添加标题P沟道添加标题*4.3.1N沟道增强型MOSFET结构*4.1.1N沟道增强型MOSFET工作原理*4.1.1N沟道增强型MOSFET工作原理*4.3.2N沟道耗尽型MOSFETN沟道增强型MOS管N沟道耗尽型MOS管*4.3.3各种FET的