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不同锆含量的锆镝铌酸锂晶体的生长及光学性能研究
一、引言
随着科技的发展,晶体材料在众多领域中发挥着越来越重要的作用。锆镝铌酸锂晶体作为一种新型的晶体材料,其独特的物理和化学性质使其在光电子器件、激光技术等领域具有广泛的应用前景。而锆含量的变化对锆镝铌酸锂晶体的生长及光学性能具有显著影响。因此,本文旨在研究不同锆含量的锆镝铌酸锂晶体的生长过程及其光学性能,为该类晶体的应用提供理论依据。
二、实验材料与方法
1.实验材料
实验所需材料包括高纯度的镝、铌、锂及不同含量的锆原料。所有原料均经过严格的筛选和提纯,以保证实验的准确性。
2.晶体生长
采用提拉法进行晶体生长。在高温炉中,将原料按照一定
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