模拟电子线路模电二极管和三极管.ppt

半导体三极管的型号第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：3DG110B1.3半导体三极管第125页,共152页，星期六，2024年，5月1.3半导体三极管部分三极管的外形第126页,共152页，星期六，2024年，5月三极管基极的测试NPN:Rbe小，Rbc小第127页,共152页，星期六，2024年，5月三极管集电极、发射极的判别基极开路，Rce大,→Iceo小基极接电阻，Rce小，→β大PNPNPN第128页,共152页，星期六，2024年，5月判断硅管和锗管的电路一般常温下,锗管正向压降为0.2～0.3V,硅管的正向压降为0.6～0.7V。由电压表的测量读数大小确定是硅管还是锗管。第129页,共152页，星期六，2024年，5月1.4三极管的模型及分析方法iCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA非线性器件UD=0.7VUCES=0.3ViB≈0iC≈0一.三极管的模型++++i-uBE+-uBCE+Cibeec1.3半导体三极管第130页,共152页，星期六，2024年，5月截止状态ecb放大状态UDβIBICIBecb发射结导通压降UD硅管0.7V锗管0.3V饱和状态ecbUDUCES饱和压降UCES硅管0.3V锗管0.1V直流模型1.3半导体三极管第131页,共152页，星期六，2024年，5月2.晶体管工作状态分析通过分析电路的直流电流关系来判断晶体管是放大、饱和还是截止状态IB0截止IB0VCE0.3饱和VCE0.7放大第132页,共152页，星期六，2024年，5月工程近似法--估算法即利用直流通路，计算静态工作点。直流通路是指输入信号为零，耦合及旁路电容开路时对应的电路。分析步骤：确定三极管工作模式。用相应简化电路模型替代三极管。分析电路直流工作点。只要VBE?0.5V（Ｅ结反偏）截止模式假定放大模式，估算VCE:若VＣE0.3V放大模式若VＣE＜0.3V饱和模式第133页,共152页，星期六，2024年，5月例：测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大VcVbVe放大VcVbVe发射结和集电结均为反偏。发射结和集电结均为正偏。第134页,共152页，星期六，2024年，5月例：测得VB=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。放大第135页,共152页，星期六，2024年，5月例已知VBE(on)=0.7V，VCE(sat)=0.3V，?=30，试判断三极管工作状态，并计算VC。解：假设T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k?100k?T因为VCEQ0.3V，所以三极管工作在放大模式。VC=VCEQ=4.41V第136页,共152页，星期六，2024年，5月例若将上例电路中的电阻RB改为10k?，试重新判断三极管工作状态，并计算VC。解：假设T工作在放大模式VCCRCRB(+6V)1k?10k?T因为VCEQ0.3V，所以三极管工作在饱和模式。第137页,共152页，星期六，2024年，5月例已知VBE(on)=0.7V，VCE(sat)=0.3V，?=30，试判断三极管工作状态，并计算VC。解：所以三极管工作在截止模式。VCCRCRB1(+6V)1k?100k?TRB22k?+-VBBRBRC+-VCCVBE(on)第138页,共152页，星期六，2024年，5月三极管电极判别分